频光电导少子寿命测试仪/少子寿命测试仪 H8535
产品简介
频光电导少子寿命测试仪/少子寿命测试仪 型号:H8535 1、 用途 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有个测量平面外,对样块体形无严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。
产品详细信息
频光电导少子寿命测试仪/少子寿命测试仪 型号:H8535
1、 用途
用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有个测量平面外,对样块体形无严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。
2、 设备组成
2.1、光脉冲发生装置
重复频率>25次/s 脉宽>60μs 光脉冲关断时间<0.2-1μs
红外光源波长:1.06~1.09μm(测量硅单晶) 脉冲电流:5A~20A
如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源
2.2、频源
2.2、频源
频率:30MHz 低输出阻抗 输出率>1W
2.3、放大器和检波器
频率响应:2Hz~2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器:频带宽度不低于40MHz,Y轴增益及扫描速度均应连续可调。
3、测量范围
KDK-LT-1可测硅单晶的电阻率范围:ρ≥3Ω·㎝(欧姆·厘米),寿命值的测量范围:5~6000μs
北京恒奥德仪器仪表有限公司
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