霍尔效应测试仪 HALL-F-50
产品简介
霍尔效应测试系统由永磁磁铁或电磁铁、连接电缆、高精度恒流源、高精度电压表、高斯计、标准样品、样品操作板、系统软件组成。霍尔效应测试系统用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数,这些参数是了解半导体材料电学特性必须的,因此霍尔效应测试系统是研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 实验结果由软件自动计算,可同时得到体载流子浓度、表载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等。
产品详细信息
一、霍尔效应系统简介
可测试材料:
可测试材料:
Ø 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等;
Ø 低阻抗材料:金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等;
高阻抗材料:半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等
霍尔效应系统组成:
HALL-F-50霍尔效应测试系统由电磁铁或永磁工作平台、连接电缆、F-50霍尔效应测试仪、霍耳测试探头、标准样品、样品安装架、系统软件组成。为本仪器系统专门研制的F-50霍尔效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍耳测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作(该部分可用Keithley数字源表代替)。F-50可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。
主要技术指标:
霍尔效应系统组成:
HALL-F-50霍尔效应测试系统由电磁铁或永磁工作平台、连接电缆、F-50霍尔效应测试仪、霍耳测试探头、标准样品、样品安装架、系统软件组成。为本仪器系统专门研制的F-50霍尔效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍耳测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作(该部分可用Keithley数字源表代替)。F-50可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。
主要技术指标:
磁 场:0.5T
样品电流:0.001mA~50mA(可扩展1A);测量电压:0.0001mV~30V
标准测试样品大小:5mm*5mm-20mm*20mm
测试温度:室温
电阻率 (Ω.㎝): 10-5 to 106
迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 106
载流子浓度(cm-3): 108 ~ 1019
提供各类测试标准材料,各级别霍尔器件(灵敏度与精度不同)
*小分辨率:0.1GS
配合高斯计或数采板可计算机通讯
I-V曲线及I-R曲线测量等
I-V曲线及I-R曲线测量等