Noiseken(噪声研究所）HBM-M 人体模型试验 (HBM) HBM-M

特征考查实际上给电子设备安装半导体元件时，半导体元件所受到的抗静电破坏能力的静电试验器。
半导体元件因受静电可能发生内部配线，绝缘膜的熔断，破坏等而导致产品特性裂化，误动作的现象。
对于此静电破坏试验，只需利用1 台弊司小型ESS-600X 更换探头就可简单实行人体带电型，机器带电型的试验。还有，可用选件中的精密型支架可对超细密间距元件做半自动的试验。
*适合用于进行LED,LCD, 光元件等电子部品的静电破坏耐性试验。
精密型支架

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• 可做*高输出电压±8KV 试验（ESS-6008）
• 可做出留有余量的试验
• 可对各种间距的受测元件进行静电施加试验
• 可搭配精密测台，以半自动（Y 轴）的脚位移动而正确的对待
• 测物施加静电
• 可做*低试验电压±10V 的试验（ESS-6002）
• 对于低电压驱动元件的评价可从10V 开始以1V 的步长予施加
• 可对应规格 

对应标准