可编程数字存储示波器 DCS-8300, DCS-7040 / 7020
产品简介
DCS-8300 ※ DCS-8300的采样速率在使用单通道时是100MS/s,在使用双通道时是40MS/s ※ 参数功能提供自动测量直流(DC)电压、交流(ACp-p)电压、频率及周期 ※ 单一按键便于设定按输入讯号编订的垂直及时间定位位置 ※ 内置波幅 抑制程式记忆可容许多达100步程序列 ※ 2%精度能保证垂直曲线的敏感度和扫描率的精度 ※ 可另配遥控盒(RT-53
产品详细信息
实时模式 |
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技术指标 |
DCS-8300 |
DCS-7040 / 7020 |
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CRT
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加速电压 |
约17KV |
约12KV |
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垂直轴 (CH1,CH2,CH3,CH4/CH1,CH2) |
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灵敏度 |
5mV~5V/diV±2%,1mV/div,2mV/div±5% |
5mV/div~5V/div±3% |
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响应时间(DC) |
DC~100MHz,(-3dB)(5mV/div~5V/div) DC~20MHz,(-3dB)(1mV/div,2mV/div) |
DC~50MHz(-3dB)(5mV/div~5V/div) DC~20MHz(-3dB)(1mV/div~2mV/div) |
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上升时间 |
*大3.5ns(5mV/div~5V/div) *大17.5ns(1mV/div~2mV/div) |
*大17.5ns(1mV/div~2mV/div) |
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操作模式 |
CH1,CH2,ADD,ALT,CHOP |
CH1,CH2,ALT,CHOP,ADD,(CH1+CH2) |
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水平轴 |
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频率响应(DC) |
DC~1MHz,(-3dB) |
DC~1MHz,(-3dB) |
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扫 描 |
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扫描时间 |
A |
0.5s/div~50ns/div±2% |
0.5s/div~0.1μs/div±3% |
B |
50ms/div~50ns/div±2% |
50ms/div~0.1μs/div±3% |
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触 发 |
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触发模式 |
AUTO , NORM , FIX , SINGLE |
AUTO , NORM , FIX , SINGLE , RESET |
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耦 合 |
AC , HF , |
AC , |
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数字存储模式 |
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技术指标 |
DCS-8300 |
DCS-7040 / 7020 |
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垂直轴 |
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垂直分辨率 |
8bit(25点/div) |
8bit(25点/div) |
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动态范围 |
±5div |
±5div |
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有效存储频率(DC) |
DC~40MHz[DCS-7020:16MHz](正弦插值) |
DC~16MHz[DCS-7020:8MHz](正弦插值) |
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存储器容量 |
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通常 显示存储率 采样存储器 |
2K字/CH(200点/div) 16K字/通道 |
2K字/CH(200点/div) 4K字/通道 |
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滚动 显示存储器 采样存储器 |
2K字/CH(200点/div) 16K字/通道 |
2K字/CH(200点/div) 4K字/通道 |
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扫描时间/显示模式 |
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正常采样 |
*高采样率:单通道100MS/s 双通道40MS/s 50ns/div~500ns/div |
0.1μs/div~500s/div(在MAG范围时为0.1μs/div~2μs[DCS-7020:5μs]/div)*大采样速度40MS/s[DCS-7020:20MS/s] |
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峰值检测 |
10μ/div~500s/div |
10μs[DCS-7020:20μs]/div~500s/div |
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等效采样 |
——— |
20μs/div~5μs/div(连续采样方式) |
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滚动模式 |
0.2s/div~500s/div |
0.2s/div~500s/div |
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存储模式 |
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正 常 |
数据在每个触发输入时更新 |
数据在触发输入时更新 |
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单 次 |
在**个触发输入时,数据会被更新及保留 |
数据复位后的**个可接受的触发到达时保持 |
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平 均 |
4、16或64次平均值 |
——— |
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峰 值 |
25ns低频干扰检测 |
25ns[DCS-7020:50ns]低频干扰检测 |
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滚 动 |
在**个触发输入时,数据会被更新及保留 |
通常:数据在屏幕上连续记录及更新;单次:在接收到触发后,前触发数据被更新,数据存储 |
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触 发 |
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前触发 后触发 |
80div(16KW) |
通常0~20div(于2.5div) 动及单个时;10~20div(于2.5div) |
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其 他 物理尺寸- 在括弧( )中的数据包括仪器的突出部分 |
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尺寸(宽×高×长) |
305(344)×150(165)×400(459)mm |
300(347)×150(165)×400(458)mm |
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重 量 |
约9.9Kg |
约9.6Kg |
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环境要求 |
10摄氏度~35摄氏度,85%*高湿度 |