ZH10226变温霍尔效应实验仪 ZH10226
产品简介
霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-400K温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量,进行半导体导电机制及散射机制的研究,并可确定半导体的一些基本参数,如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。
产品详细信息
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霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-400K温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量,进行半导体导电机制及散射机制的研究,并可确定半导体的一些基本参数,如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。
霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-400K温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量,进行半导体导电机制及散射机制的研究,并可确定半导体的一些基本参数,如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。