硅雪崩光电二极管 SERIES8

型号

有效面积

暗电流(nA)

击穿电压(V)

电容

上升时间

温度系数

噪声等效功率

芯片

封装

尺寸(mm)

面积(mm²)

@M=100

@I_D = 2μA

M=100(pF)

@M=100(ps)

U_BR (V/K)

(W/Hz^1/2)

AD100-8

TO52S1

Ø0.100

0.00785

0.05

120-190

0.8

<180

典型值：0.45

3×10^-15

AD230-8

TO52S1

Ø0.230

0.042

0.3

1.2

180

1×10^-14

AD230-8

LCC6.1

AD500-8

TO52S1

Ø0.500

0.196

0.5-1

2.2

350

2×10^-14

AD500-8

TO52S2

AD500-8

LCC6.1

AD800-8

TO5i

Ø0.800

0.50

2.0

5.0

700

4×10^-14

AD1100-8

TO5i

Ø1.130

1.00

4.0

8.0

1000

8×10^-14

AD1900-8

TO5i

Ø1.950

3.00

15.0

20.0

1400

1.5×10^-13

AD2500-8

TO5i

Ø2.520

5.00

20.0

28.0

1500

3×10^-13

AD3000-8

TO5i

Ø3.000

7.07

30.0

45.0

2000

4.5×10^-13

AD5000-8

TO8i

Ø5.000

19.63

60.0

120.0

3000

9×10^-13