GTEM室射频电磁场辐射抗扰度测试系统 GTEM

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产品型号：GTEM

品牌：其它品牌

公司名称：深圳市讯能电子有限��司

所在地：广东深圳

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产品简介

GTEM室（吉赫芝横电磁波室）是近年来国际电磁兼容领域发展的一项新技术。GTEM室有五个主要特点：①拥有与TEM室的低频段和射频电波暗室同样优越的频率特性。②可以用低的代价取得非常好的测试环境。③由于采用可拆卸的系统，安装场地不受限制，并可在短时间内安装就绪。④由于有优异的频率特性，可进行电磁脉冲发射的抗扰度试验。⑤由于测试环境有良好的重复性，使得试验也更加可靠、有效。     GTEM室的射频电

产品详细信息

GTEM室（吉赫芝横电磁波室）是近年来国际电磁兼容领域发展的一项新技术。GTEM室有五个主要特点：①拥有与TEM室的低频段和射频电波暗室同样优越的频率特性。②可以用低的代价取得非常好的测试环境。③由于采用可拆卸的系统，安装场地不受限制，并可在短时间内安装就绪。④由于有优异的频率特性，可进行电磁脉冲发射的抗扰度试验。⑤由于测试环境有良好的重复性，使得试验也更加可靠、有效。

GTEM室的射频电磁场辐射抗扰度测试系统符合IEC61000-4-3和GB/T17626.3标准的要求。


GTEM室射频电磁场辐射抗扰度测试系统框图	GTEM室射频电磁场辐射抗扰度测试系统

电压驻波比特性	电场强度的均匀性

用GTEM小室进行射频辐射电磁场抗扰度试验的基本原理：
小室**频辐射电磁场中电场强度相对于射频输入功率的表达式可表示为
E＝V/h＝(PR)^1/2/h
在实际选用放大器时，还应当考虑电缆和其他损耗，故有
E＝V/h＝D(PR)^1/2/h
这里，E为电场强度（V/m）
P为输入功率（W）
R为阻抗（50Ω）
h为导体高度（底板到芯板的高度）
V为输入电压
D为系数，电缆等损耗为1dB时，D＝0.891
3dB时，D＝0.708
若P＝4W，h＝1m，D＝0.708，则E＝10V/m（注意，计算中未考虑标准化试验所需要的信号调制问题）
由此可见，用GTEM室做EMS测试时得到的场强比天线法采用同样大小的放大器时得到的场强要大得多，因而这个系统有较高的性能价格比，为企业开展小型产品EMS测试的**方案。