中波2-6um(PbSe)面阵探测器芯片 中波2-6um(PbSe)面阵探测器芯片
产品简介
新的红外气相沉积(VPD)技术,硒化铅(PbSe)2-6um红外成像面阵探测器芯片,在3-5微米(MWIR)具有较高的探测率和高效的工作状态! 先进的光电系统兼容性可用您后期研发,红外相机、热像仪及红外检测系统等。它的出现成为您红外新品开发的**原型和基础。 面阵大小:32*32 型号:FYM-FPA 2M-32-100
产品详细信息
新的红外气相沉积(VPD)技术,硒化铅(PbSe)2-6um红外成像面阵探测器芯片,在3-5微米(MWIR)具有较高的探测率和高效的工作状态!
先进的光电系统兼容性可用您后期研发,红外相机、热像仪及红外检测系统等。它的出现成为您红外新品开发的**原型和基础。
面阵大小:32*32 型号:FYM-FPA 2M-32-100