霍尔效应测试系统(Hall Effect System) HMS
产品简介
本系统可以完成高、中、低阻样品的霍尔效应,磁阻效应,I-V和V-I特性测试;也可增选变温选件,满足客户的特殊测试环境的需求。用户可以研究样品的载流子类型,导电机构,散射机构,巨磁阻等现象,确定禁带宽度,净杂质浓度,载流子浓度及迁移率等。
产品详细信息
霍尔效应测试系统简介
材料的导电行为是凝聚态物理学,材料科学和器件工艺学的基础研究对象。我们选用目前世界上性价比非常高的Keithley仪表等组成了一套高性能的霍尔效应自动测试系统。该系统可以完成中低阻样品的霍尔效应,磁阻效应,I-V和V-I特性测试;也可增选变温选件,满足客户的特殊测试环境的需求。用户可以研究样品的载流子类型,导电机构,散射机构,巨磁阻等现象,确定禁带宽度,净杂质浓度,载流子浓度及迁移率等。
1. 基本功能
可以进行霍尔效应、磁阻效应,I-V和V-I特性的测量;
可得出参数:
霍尔效应——方块电阻、电阻率、霍尔系数、导电类型、霍尔迁移率、载流子浓度;
磁阻效应――R,△R,(△R/R)%,(△R/R0)%;
I-V和V-I特性 ——不同温度和不同磁场下的I-V和V-I特性曲线。
2. 可测试材料
半导体材料:Si ,Ge , AlGaAs ,GaAs ,GaN ,HgCdTe ,CdTe等;
低阻抗材料:金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等。
铁氧体材料
3. 主要特点
标准系统使用插入式样品夹具,样品安装方便;
基本配置一次*多可以同时进行两个样品的测试;
标准系统随机配送一个探针样品卡;
标准系统可以进行不同磁场下的霍尔效应、磁阻效应,I-V和V-I特性的测量;
电阻测量范围:1mΩ—10MΩ,测量的不确定度为2%;
测试过程和计算过程由软件自动执行,节省了大量的时间;
软件可以显示测量结果和测量曲线;
系统磁场采用闭环控制,可以提供高稳定性的磁场, 同时解决了磁铁剩磁问题,实现真正的零磁场;
选择变温选件,可以进行不同温度下的霍尔效应测量,磁阻效应,I-V和V-I特性测量。
4. 电极接触点:4或6
5. 温度环境:标准系统不带变温选件,只能进行室温下的测量。
可提供液氮杜瓦或者制冷机选件,经行低温下测试。
6. 磁场环境:
利用电磁铁可产生0~2T可变磁场。
7. 样品*大电压:200V;
8. 样品电流范围:±10nA到±1A;
9. 阻值范围: 1mΩ到10MΩ;