半导体磁电阻率测量仪 HT

四探针金属/半导体电阻率及磁性薄膜磁电阻测量仪

        用四探针测量电阻率，可以避免电极接触电阻对测量结果的影响，因此在国内外早已被广泛用来测量金属、半导体、导电高分子材料的电阻率。另外本仪器还在四探针样品台两侧加上亥母霍兹线圈，用其提供一个可调磁场，用来测量磁性金属的磁电阻率。 特别是在物理实验教学上，用其编排的实验内容丰富、适用面广、扩展性强。
       本仪器装置和实验内容已通过国家工科基础课程教学基地鉴定。
主要用途：
   半导体、导电高分子薄膜（块体）材料电阻率的测量
   金属薄膜材料电阻率的测量
   金属块体材料电阻率的测量
   磁性合金薄膜的磁电阻测量
   铁磁、非铁磁、铁磁三层或多层薄膜的磁电阻测量
   自旋阀型巨磁电阻薄膜、隧道结型巨磁电阻薄膜的磁电阻测量

仪器组成及性能：

   精密直流电流源电压表：
        电压输出范围：5µV-50V，负载电流*大为10mA
        量程：分五档，20mV、200mV、2V、20V、50V，带有粗调和细调
        输出电压显示：4½位LED
        输出电压的基本误差：±（0.1%RD+0.02%FS）

        电流输出范围：1nA-50mA，*高输出电压为5V
        量程：分五档，20µA、200µA、2mA、20mA、50mA，带有粗调和细调（可扩展至200mA）
        输出电流指标：4½位LED
        输出电流的基本误差：±（0.03%RD+0.02%FS）

   高精度直流数字电压表：
       电压测量范围：0.1µV—1000V直流电压
       测量电压显示：6½位LED
       接口：RS232C接口

  亥母霍兹线圈：
       由2只相同类型的线圈分别固定在样品平台的衬盘两侧。线圈在实验平台上可360º转动，能产生磁场0~180奥斯特。

  亥母霍兹线圈电源：
       能产生0~60V连续可调电压，*大额定电流为5A输出

  四探针平台及组件
       由底盘，可旋转360º的衬盘，在衬盘上的样品平台以及在样品平台上安置的四探针组成。四探针组件是由具有引线的四根探针组成。四根探针被固定在一个架子上，相邻两探针的间距为3毫米，探针针尖的直径约为200微米。样品放在可调样品台上，样品台可在线圈中心上下一厘米内可调。