ECR-PECVD电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 ECR-PECVD　

1. ECR 微波等离子体源&和电源：
•圆形
􀁸8, 12 inch等离子体源
􀁸频率2.46 GHz
􀁸微波发生器, 电磁铁和3个调谐器
•矩形等离子体源
􀁸长度: 500 to 1,000 mm (up to 2,000 mm for large planar area deposition)
•电源
􀁸微波电源: 50 -1,200 W (up to 10 kW)
􀁸反射微波功率测量
􀁸磁体电源: 600 W (100 V, 6 A)

2.薄膜沉积控制：
•膜厚检测和处理时间可通过计算机程序控制
•膜厚检测和处理速度可通过计算机程序控制
􀁸支持大面积沉积（如：氧化硅、氮化硅等）
􀁸可升级为在线 ECR-PECVD系统
•质量流量和自动压力控制
􀁸质量流量控制器：各种气体
􀁸Baratron真空规：等离子体处理
􀁸节流阀和控制器

3.真空室：
•圆形腔体
•直径: φ400 ~ 600 mm (Substrate : 2 to 15 inch)
•高度: 400 ~ 700 mm
•方形腔体
•根据用户需求定制

4.真空泵和测量装置：
•低真空: 干泵，增压泵和Convectron真空规
•高真空: 涡轮分子泵和离子规

5.控制系统：PLC, 计算机触摸屏控制

扩展功能：
•射频电源：基底偏压
•带自动样品递送装置的Loadlock样品加载室
•温度控制器：基底加热
•蒸镀cell for doping on film
•基底旋转功能：以提供薄膜厚度和热均匀性
•大面积基底平移系统
•冷却系统g

ECR特点：
•更高的离子化程度
•更高的离子密度、低压下< 10-4 Torr下粒子的活性
•更低的污染：因为无需电极
•适用于等离子体清洗，表面活化/改性和薄膜沉积

全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等