单波长椭偏仪(激光椭偏仪)
波长:637nm 入射角:连续,30~90°(±0.03°) 样品尺寸:4inch~8inch 精度:(1200A SiO2标准片,5times) TKS±2.5A/N±0.005 尺寸:80cm×34cm×42cm 应用: 镀膜工艺 *佳化及监控 SiNx减反膜工艺 TiO2减反膜工艺 复合SiNx减反膜工艺 SiO2钝化工艺 复合SiNx/SiO2减反膜工艺 SiO2掩膜工艺
软件特征: 整合量测、分析、计算 操作模式**化 同步原始数据呈现 硬件特征: 半导体镭射光源 三格林泰勒棱镜偏振系统 波长:260-1800nm 消光比:>105 发散角:≤3mrad 真空吸附载物台 自动连续入射角(零度校正) 高分辨率半导体探测器