技术参数

●技术指标
均热精度 RT～1000℃（高温计可測范围　400～1200℃）
被加热物 标准6英寸集成电路板　1块（4.5英寸集成电路板也可选择）
气 氛 标准　气体、气体流动中、大気中（真空也可选择）
加热方式 用放物面反射红外线炉来加热上部的面
*大加热速度 使用附带Sic碳素导线　10℃／sec
未使用附带Sic碳素导线时　50℃／sec（※用高温计来控制。）
均热精度 使用附带Sic碳素导线 △t=10℃ 保持800℃ N2气体
未使用附带Sic碳素导线时 △t=10℃ 保持800℃ N2气体
温度传感器 JIS K型热电偶（插入附带Sic碳素导线方式）
控制方式 闭环控制
热排气 旋转式鼓风机排气方式
电源 AC200V 25.4KVA 3φ
**项目 冷却水量，热电偶断线，漏电，异常停机，加热室内过压

主要特点

低成本，用于研究开发

●特长
1.急速加热
2.金属加热是由冷却水进行冷却，可进行急速冷却控制。
3.加热炉有9个独立的温度控制区，具有良好的温度分布和再现性
4.气氛可控 (真空排气系统；选择部件)
5.气体可置换 (真空排气系统；选择部件)
6.PC计算机进行数据管理。
7.装有石英防融板加化加热室的**性。

仪器介绍

RTP-6型*大的待测试样6英寸基板，并且成本低，用于研究开发领域的装置。RTP-6装置对于硅半导体，化合物半导体等，在试验过程中，具有气氛可变，高速加热，高速冷却的功能。本装置是*适合在研发过程中，手动操作。

分析方法

此仪器尚未上传分析方法

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