MEM2303M3 MEM2303M3

P-Channel MOSFET MEM2303M3

MEM2303M3系列P 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

MEM2303M3产品特性：

1、 -30V/-4.2A
      2、  RDS(ON) =55mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.2A
            RDS(ON) =62mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
            RDS(ON) =72mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2.5A
      3、 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

MEM2303M3的封装: SOT23-3L

MEM2303M3的典型应用：

电源管理；
      负载开关；
      电池保护。

MEM2303相关产品：MEM2303XG