VBF1200X-H8 水平真空箱式炉 VBF1200X-H8
产品简介
VBF-1200X-H8 真空管式炉在美国通过CE认证,其水平位置带有一个外口径200mm深度340mm的石英内胆,在真空或各种气氛下温度可达到1100℃,可对6〞以下的半导体晶片进行煅烧或低温退火。该炉体表面温度低、升降温速率快、节能等优点,比一般的真空箱式炉更洁净,真空度能达到更高,是高等院校、科研院所的实验室、工矿企业对金属、非金属及其它化合物材料进行烧结、融化、分析而研制的的理想设备。
产品详细信息
产品型号: |
VBF-1200X-H8 |
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产品简介: |
VBF-1200X-H8 真空管式炉在美国通过CE认证,其水平位置带有一个外口径 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000环境体系的要求),不会造成环境污染; 该产品符合含采购商OHSMS18000职业**健康管理体系标准的要求,不会对接触产品的人员健康造成伤害! |
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主要特点: |
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技术参数: |
² 工作温度:1000℃(*高连续使用温度1000℃,极限*高使用温度1100℃*多30分钟) ² 加热元件:高质量的Ni-Cr-Al电阻丝,可加热到1100℃ ² 炉管尺寸:8" O.D. x 7.5" I.D x 13.4" L ² 加热范围:7.5" ID x 8.5" Depth (7.6Liter) ² 控温方式:智能化30段可编程控制 ² 恒温精度:±2℃ ² 工作电源:单相208-240 VAC 50/60HZ ² 外型尺寸:510 x 435 x 425mm ² 净重:80KG |
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细节描述: |
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产品规格: |
外形尺寸:510 x 435 x 425mm 净重:80KG |
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产品证书: | CE认证 |