1083nmDBR激光器 1083nm PH1083DBR
产品简介
1083nmDBR激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成,应用范围包括:光谱学、He磁力仪、光纤放大器种子源、差频振荡、替代低功率固体激光器等。 1083nmDBR激光器将光栅放置于激光有源层的一端,可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击,能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。1083nm激光二极管的线宽小于1MHz,输出功率40-120mW,具有非常好的稳定性。调制频率可达6.8GHz(for putting sidebands on the laser)。
产品详细信息
www.photodigm.com
PH1083DBR
1083nm系列
高功率、单频输出激光二极管
核心技术:
(1)DBR单频激光芯片;(2)AlGaAs 量子阱有源层。
产品特点:
(1)高功率,单频输出;(2)激光线宽500kHz-1MHz;(3)多种封装形式;(4)无跳模调谐范围宽;(5)使用寿命长;(6)可提供纳秒或皮秒脉冲输出。(7)调制频率可达6.8GHz(for putting sidebands on the laser)。
PH1083DBR系列高功率激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束,应用范围包括:光谱学、He磁强计、光纤放大器种子源、差频振荡、替代低功率固体激光器等。
DBR激光二极管将光栅放置于激光有源层的一端,可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击,能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外,DBR激光二极管采用单步分子束外延生长而成,使生产成本更加低廉,并且保证了低内部损耗和高输出功率。
技术参数:
储存温度 |
0-80℃ |
工作温度 |
5.0-70℃ |
正向电流(连续模式输出) |
~300mA(Typ) |
正向电流(脉冲模式输出),T=25℃
脉冲宽度:300ns |
1.0A |
激光反向电压 |
2.0V |
光电二极管正向电流 1/2/ |
5.0mA |
光电二极管反向电压 1/2/ |
20.0V |
光电二极管暗电流,VR=10V,1/2/ |
50nA |
TEC电流 1/2/ |
-1.8—1.8A |
TEC电压 1/2/ |
-2.0—2.0V |
热敏电阻电流 1/2/ |
1.0mA |
热敏电阻电压 1/2/ |
10V |
连续模式输出技术参数(T=25℃)
中心波长 |
1083nm(Typ.) |
输出功率 |
40-180mW |
斜率效率(蝶形封装) |
0.36W/A |
斜率效率(TO-8封装) |
0.72W/A |
阈值电流 |
~60mA |
激光二极管电阻值 |
2.0Ω |
正向电压 |
2.0V |
热敏电阻阻值@25℃,1/2/ |
10KΩ |
光电二极管暗电流,VR=10V,1/2/ |
50nA |
激光线宽 |
1MHz |
温度调谐系数 |
20GHz/℃ |
电流调谐系数 |
0.77GHz/mA |
偏振消光比,1/ |
-19dB |
光束发散角@FWHM |
6x32° |
边模抑制比 |
-30dB(Min) |
激光偏振 |
TE |
模式结构 |
基模 |
1/蝶形封装 2/TO-8封装
注意事项:
此激光二极管是静电敏感器件,操作时请注意接地保护和佩戴静电手环。存储时请将各管脚短接在一起并放入防静电的容器内。
可提供多种封装形式
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