三氯氢硅中痕量磷检测分析专用气相色谱仪 HP-2013

一、           前言
    半导体硅材料中磷含量的高低，直接影响器件的电性能。随着硅材料研究及生产的不断提高，对于原材料三氯氢硅中磷的测试灵敏度、速度、准确度提出更高要求。
    三氯氢硅中杂质磷的分析，传统的方法为将杂质磷转变成磷钼杂多酸，再还原成磷钼蓝进行比色测定。在此基础上后来有改进，诸如经苯肟酮或硫氰化铵比色测定钼，或利用化学光谱法测出钼量进而间接换算出磷含量；加大取样量等。虽然在灵敏度上有一定提高，但都要经过使磷形成磷钼杂多酸这一过程。为要形成稳定的络合物来分离基本和消除杂质干扰，化学分离手续相当繁杂，分析时间长，而且，测定灵敏度也不能满足生产上的要求。
    为了提高三氯氢硅中杂质磷分析灵敏度和速度，滕州华普相关科研人员做了大量工作。例如，有专家采用气相色谱法测定了三氯氢硅中以PCL3与POCL3形式存在的磷含量。然而，三氯氢硅中杂质磷还可能以其他形式存在（例如，PCL5、PSCL3），因此，欲采用气相色谱法测定总磷含量，首先要保证样品中以各种形式存在的磷都能从分离柱中流出，这无疑是一项很艰巨的工作，至今尚未见到报道。又例如，有专家采用“ICP—MS”法测定三氯氢硅中痕量杂质磷，测试方法虽然简捷，遗憾的是，测定灵敏度下限仅为0.3PPb，不能满足多晶硅生产工艺对三氯氢硅中杂质磷的分析要求（工艺要求三氯氢硅中杂质磷含量应小于0.1PPb）。
    
    二、           测定三氯氢硅中痕量磷专用仪器“高温氢还原—华普火焰光度气相色谱仪”。
    针对上述现状，滕州华普专家级工程师经过多年在硅行业的丰富经验，与大量的切合实战分析，研制出测定三氯氢硅中痕量磷专用仪器“高温氢还原—火焰光度气相色谱仪”。进几年已在国内硅行业多个生产厂家得到应用，反应极好，与价格昂贵的“ICP-MS”法比较有廉价实用，快速测定，痕量（≤0.06PPb）分析，耗材低等特性。对于快速反应指导三氯氢硅生产工艺，更加提纯硅产品，为社会提供更****的单晶硅产品，是我司特别推出此套分析仪器的宗旨，也是您可信赖的合作伙伴。
                         
    GC8910火焰光度分析仪总磷测定
    三氯氢硅———————————→多晶硅————→**单晶硅产品
    
    三、滕州华普仪器的特点和指标
    1、 所测三氯氢硅中杂质磷含量为总磷含量；
    2、 三氯氢硅中杂质磷含量测定下限为0.06PPb；
    3、 测定手续简便只需用注射针筒向仪器注入三氯氢硅即可；
    4、 测定周期短，自注入三氯氢硅到测出磷化氢峰高（或面积）需时20分钟；
    5、 仪器结构简洁、直观，便于使用和维修。  
    
    仪器选购及售后服务
           在你购买仪器前协助你**了解仪器的性能、特点，仪器选型的**咨询服务。在您购买仪器后，我们可派专业技术人员前往您的单位进行仪器的**安装、启动、调试。定期举办培训班，长期供应仪器的易损、易耗件。依国家行业标准，仪器实行三包，保质期十二个月，终身维修，自接到用户询问电话后，24小时内答复，若需到现场，48小时内到位，做好售后服务。