霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，一般只要10-12~10-4S，故其响应频率高，可达100MHz。霍尔元件为四端元件，两端用于输入激励电流，两端用于输出霍尔电动势。
理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。
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