为什么我们要提出这个话题呢-硅压力传感器可靠性强化试验研究？因为在我国传感器领域该项技术研究起步较晚， 压力传感器 可靠性提高工作的模式依然传统，通常通过常规的可靠性测试实验，首先测试出产品的可靠性寿命，当可靠性测试出现产品失败后，再考虑结构内部原理等设计上的更改，会需要很长的时间才能获得较高的可靠性，太没效率太慢跟不上技术更新的速度了。所以我们这里一定要说说硅压力传感器可靠性强化试验研究。

    首先我们谈谈可靠性强化试验的技术思想，即为技术理论上的东西，它可以指导我们行动更新目前我们的意识形态。传统的可靠性测试是基于模拟真实环境的测试方法,其特征在于:所述模拟环境,考虑设计真正的边缘向过去。缺点，这个试验方法周期长、成本高,测试的目的可靠性和加速只是识别和量化在产品的寿命的*后失败的损失和破坏机理出发,不暴露的缺陷,传统的产品和可靠性试验比较了不产生新的破坏机制。可靠性强化试验突破传统观念的可靠性试验技术的缺陷,很快就会激发试验引入可靠性测试的机制。在一个果汁阶段,通过产品,加强环境压力和工作应力可靠度验证,刺激产生故障的薄弱环节和暴露在设计、产品设计和曝光早期的失败,容易修改设计。它可以大大缩短试验时间、提高效率和降低成本的测试试验。采用这种方法比传统方法可靠性更高,更重要的是,可以在短时间内得到了早期的可靠性,传统方法的可靠性,需要长时间的增长。
 
    其次就是硅压力传感器的失效原理，这是实验的重中之重必须了解。我们之前有讲过 硅压阻压力传感器工作原理以及应用场合 。根据可靠性测试结果统计、 扩散硅压力传感器 失效模式主要有以下几种形式:参数漂移(零点漂移,当温度漂移、绝缘性能降低,而体内的渗漏、隔膜、焊接裂纹、结合点断开,内部部件脱落,**的断开,参数退化等。与正常温度、机械、电器老化试验,可以作出不同的所有问题的一部分,但由于常规试验存在着所有的缺陷暴露于基本实现高可靠性的传感器。硅压力传感器故障模式及故障比统计结果表明,温度和湿度变化等环境因素导致了失败有一个大的份额。这种问题的出现,主要是在晶片表面膜吸附水分子后发生电化学腐蚀的原因和焊结合点芯片,界面可能发生电化学腐蚀水分子,这些包装材料主要来自内在的吸潮性,并引进了外界水分,无论是哪种水分吸收方式、吸吸潮率方程机制。

    然后说说硅压力传感器可靠性强化试验剖面，即为实验条件层面上的东西也非常重要。传感器失效模式以其破坏机理的决定,当失败的过程,通过环境条件和工作条件和压力带来的影响。不同传感器的压力可能会产生相同或不同的破坏机理,可能是一种失效模式DuoZhong破坏机理,在选择测试压力,应选择有巨大影响力的应力状态对传感器失效。综合分析硅压力传感器的故障,实施原则硅压力传感器的可靠性强化试验,认为试验的应力集中,应敏感振动应力、温度应力、湿度压力。结构设计、焊接工艺、封装工艺缺陷可以由振动变量和的温度和湿度值变量来激发,使退化指标的缺陷,能激发的温度和湿度值变量试验应力,可以放一个单一的,也可以在秩序或同时进行。测定了强化试验的应力强度。硅压力传感器的可靠性测试应力大小,除了强化产品的设计,但*高不得超过传感器星等限制破坏极限应力、强度的应力开始,走出小规模的逐渐增加,直到所有样品出现失败。长用户提出了项目的技术要求的标准没有极限应力,设计人员根据某些设计传感器设计、幅度是设计极限压力,传感器在工作极限应力范围不应产生失败,筛选应力极限压力下工作;传感器在破坏极限应力范围将不会出现不可逆的失败,可靠性强化试验应力强度不可能超过破坏极限压力。

    *后总结下如下： 压力传感 器技术是目前发展*迅速的高新技术之一，其技术水平直接影响信息系统和工业自动化的技术水平。压力传感器可靠性技术是与传感器设计、生产技术同步发展的一项重要基础技术。产品不仅要有良好的性能指标，更需要在产品的设计全寿命期内有很高的可靠性才是目前新的市场观念是，可靠性强化试验作为一种新型的试验技术，效率高、成本低，根本上提高 硅压力传感器 的固有可靠性以及长期稳定性，因此大大缩短产品开发周期，加快新产品推陈出新速度，为实现迅速占领市场提高市场占有率打下*坚实的一步。

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