红外热成像技术发展近况

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点击量: 198290 来源: 武汉市富运达光电有限公司
红外热成像技术发展近况

红外热成像装置和系统已作为**物资装备**,用于侦察、监视、观察、跟踪、瞄准和导航等用途。进入90年代后,各国军方面对现代战争和未来信息战要求的新形势,对热成像技术提出了更高的要求。希望今后制作的红外热成像装置和系统要具有更佳的性能,如更小的体积和更轻的质量、更高的分辨率和灵敏度、更远的作用距离、更加低廉的价格等。为此,欧美等国为延长**代红外热成像装置和系统的服役年限,目前正在利用先进技术改造**代红外热成像装置和系统。同时继续开发**代热成像技术新产品,拓展其应用范围。
**代热成像装置的改进
    80年代末开始,美、英等欧美国家,为进一步提高**代红外热成像装置和系统的性能,延长其服役期限,都在积极地采用新技术,为**代热成像装置和系统开发更为先进的制冷器、扫描器、处理电路和探测器。同时,还采用红外焦平面阵列探测器和新的处理电路改装**代热成像仪,使其性能提高到**代热像仪的水平。
1.英国改进Sprite探测器
    英国为提高热成像系统的热敏感度和空间分辨率,对原有Sprite探测器做了如下改进:(1)采用液相外延生长技术生长高质量的N型碲镉汞材料,以制造高灵敏度的探测器;(2)把探测器的截止波长从11微米延伸至13微米,使其对常温目标具有*高的热灵敏度;(3)重新设计了设置在探测器杜瓦瓶窗上的7.5~13微米增透膜和高效截止滤光片,以防止产生噪声;(4)采用新几何形状的探测器,以提高空间分辨率。改进后的探测器称为TURBOSprite探测器,其性能比原来的Sprite探测器有较大提高。另外英国还采用变形探测器光学系统改进了许多类TICM热像仪。
2.美国采用新技术改装一代热像仪
    美国从1992年初开始,决定采用法国苏法拉蒂公司的288×4元阵列改装其AN/TAS系列一代热像仪,并且用新的电子组件取代原来的电子组件,同时还设计了新的成像光学系统。改装后的AN/TAS系列一代热像仪,通过演示表明,其探测和识别目标的距离比原来的AN/TAS-4A远,产生的视频图像质量很高。用苏法拉蒂公司的288×4元阵列探测器改装目前武器系统中使用的一代热像仪,可使武器系统的性能进一步提高。
    美国数字成像公司为改装以美国通用组件探测器为基础的热像仪,研制出一种可与各种凝视焦平面阵列连接的处理电子学装置。该装置包括三块电路板和一块小的缓冲板,用它可取代通用组件热像仪中的原有后置放大器电路板。该处理电子学装置可与马丁公司256×256元的InSb、PtSi、HgCdTe量子阱器件连接成改进组件,用来改装各种型号的一代通用组件热像仪。
3.瑞典采用先进光学系统和扫描器件研制智能前视红外装置
    瑞典阿格玛公司采用先进的光学系统、扫描器组件、模数转换器和专用软件等,研制出THV1000型智能前视红外装置,其性能超过**现用的前视红外装置。该装置采用的光学系统由一个场透镜、两个柱面透镜和一个聚焦透镜组成,可形成图像的变化比,使SPRITE探测器的性能*佳化,能为水平和垂直方向提供相同的几何分辨率,消除来自壳体的杂散光。采用的扫描器组件是一种被称为LK-4的新的多面体反射扫描组件,其探测性能几乎是普通扫描系统的3倍,且明显优于采用焦平面阵列系统所能达到的性能。这种扫描器组件还可安装在其它红外系统中。
**代热成像技术的进展
    **代红外热成像技术,是90年代为更好地适应**应用发展起来的。焦平面阵列技术是其核心技术,其主要结构形式为4N扫描阵列和N×M凝视阵列。制冷型InSb、HgCdTe探测器在中、短波红外应用领域已是一项较为成熟的红外成像技术,目前在**应用中正发挥着巨大作用。根据目前某些**和航天应用的需要,它仍是主要发展项目之一。在不断开发新产品的同时崐,为进一步提高上述两类红外材料探测器的分辨率和灵敏度,正在做扩大阵列尺寸和增加像元数的研究。
1.美国推出**STAR SAFIRE
    美前视红外系统公司采用高性能的320×240元红外焦平面阵列和更为有效的斯特林制冷器,于1998年春制出了美军AAQ-22机载热成像系统的换代产品STARSAFIRE。该产品采用了锑化铟凝视焦平面阵列,工作波段3~5微米。其特点是:尺寸小、功耗低;可用电子和机械方式使阵列在两个方向上移动,以提高分辨率;能获得与640×480元阵列相近的分辨率;采用了十分坚固的稳定元件和滑动环,元件能抵御损伤性冲击、振动和高/低温;使用了大量的数字信号处理器和英特尔奔腾处理器,大大提高了图像处理和系统管理能力。现在美军决定用该产品装备20多种固定翼飞机和直升机,如美**的P-3海上巡逻机、空军的C-130运输机、陆军/国民警卫队的UH-1N、HH-6、S-61和76直升机等。
2.大型InSbHgCdTe焦平面阵列问世
    扩大阵列尺寸和增加像元数的研究是InSb、HgCdTe焦平面阵列当前发展的一个新动向。美国雷西昂公司就一直在致力于大型InSb焦平面阵列的研究开发。该公司计划于1999年的下半年展示它的第1个2052×2052元大型InSb焦平面阵列制品,该阵列的输出是以往1024×1024元阵列的4倍。它将首先被用于天文观察。美国洛克威尔公司进行的是大型HgCdTe焦平面阵列的研究开发,目前正在研制工作波段为0.9~2.5微米近红外2000×2000元HgCdTe大型焦平面阵列。该阵列在60K时灵敏度*高,暗电流小于0.1电子/秒,读出噪声小于2.5电子,用于目前的超级望远镜中能获得与哈伯望远镜相近的红外图像质量。此外,该公司还将为美宇航局计划于2008年发射的新一代太空望远镜研制4000×4000元大规模HgCdTe焦平面阵列,频谱灵敏范围将从2.5微米扩至5微米,经优化后用于传统成像时其灵敏度高达0.005K。
    目前,在上述两种大型焦平面阵列的制作中*需解决的关键技术是大型晶片生长薄膜工艺。