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洁净室型态净化技术

洁净室型态（供大家参考）洁净室定义[CLEAN ROOM] [Clean ROOM]洁净室，亦名无尘室或清净室，目前已是半导体工业和生物化学、医药、食品界等不可或缺之重要设施。近几年来，由于技术之**发展，对于产品的高精密度化、细小型化之需求更为迫切，如超大型积体电路(VLSI，Very Large Scale Integrated Circuit)之研究制造，已成为世界各国在科技发展上极为重视之项目，我国亦不例外。然积体电路与精密轴承(Bearing)、太空航空仪器、光学机械等之精密机械产业，对于空气中之浮游粒子、粉尘等之污染极为敏感，且对于产品之品质、可靠性及良率高低有著极大之影响。由于以上之产品必须在良好之洁净室内进行生产制造，故工业用之洁净室在各种产业上已被广泛采用。另一方面在医学上及医疗技术方面，对于手术室，新生儿室、重症加护病房(Intensive Care Unit, ICU)、**病房及冠状动脉加护病房，(Coronary Care Unit,CCU)等场所所为达成高度医疗效果，亦需有去除空气中浮游**之无菌之无菌环境，以维人员生命**。其次在制药工作、食品制造业及医疗仪器制造业、生化及**培养等为提高产品品质及**卫生，以去除空气中浮游**或微生物与外界异物之干扰侵犯之无菌洁净室亦应运而生。针对积体电路（半导体行业）而言，洁净室*重要之作用在于控制产品(如夕晶片等)所接轴之大气的洁净度及温湿度，使产品能在一个良好之环境空间中生产、制造，此空间我们称之为[洁净室}。换言之，洁净室之定义为将一定空间范围内之空气中的微尘粒子、有害空气、**等之污染物排除，并将室内之温湿度、洁净度、室内压力、气流速度与气流分布、噪音震动及照明、静电控制在某一需求范围内，而所给于特别设计之房间。亦即是不论为在之空气条件如何变化，其室内均能具有维持原先所设定要求之洁净度、温湿度及压力等性能之特性。从另一角度看，洁净室之立方英尺内之空气所含有大或等于0.5um(10-6M)之灰尘粒子不超过1颗；洁净室10级则为不超过10颗，洁净室100级，1000级......依此类推。我们可以一简式表示之即Class1:≦1pc/ft3(@≧0.5um),Class10:≦10pcs/ft3(@≧0.5um)......。由以上之定义，我们可知构成洁净室须具备以下之各项因素：能除去空气中漂游之微尘粒子。能防止微尘粒子之产生。温度和湿度之控制。压力之调节。有害气体之排除。结构物与隔间之气密性。静电之防制。电磁干扰之预防。 **因素之考虑。节能之考量。洁净室历史演进二次世界大战时美国空军发现大部分飞机零件故障之原因，乃因粉屑、灰尘等之污染所引起，因此开始将这些小轴衬、齿轮等置空气中浮游灰尘较少之处进行加工及组合，因而使故障率得以减少，此为洁净室观念之起源。而1958年美国为了开始太空科学之研究，开始做洁净室之研究，并于1961年完成有关美国空军之洁净室规格，并于1963年12月经由美国联邦洁净室之规格Federal Standard No.209。表1-1为美国空军规格(T.O.00-25-203),而表1-2则为FS 209整个开发过程。表1-1 美国空军(T.O.00-25-203)洁净室规格基准\分类 0.5um以上粒子之*大数目个/ft3(个/L) 1um以上粒子之*大数目个/ft3(个/L) 温度相对湿度% 压力mmhg 照度LUX 压差(InAq) A B C 设计基准 20,000(710以下) 4,000(140以下) 22.2±2.8 *大40 0.25~1.25 1076 0.1 0.05 0.01 运转基准 100,000(3,500) 20,000(710) 22.2±2.8 30~45 0.25~1.25 1076 0.1 0.05 0.01 A：洁净室与非污染室 B：非污染室与准污染室 C：准污染室与外部表1-2 FS209开发经过年代 1961 1962 1963 过程产业界认为洁净室有规格化之必要。 Sandia Corp New Mexico*初开发[层流型洁净室]。 **规格之开发。陆军规格订定：No.246. 伊利诺技术研究院(Ilinois Institute of Technology Research)之Mr.Al.Lieberman发展出实用之光散乱式微粒子计数器OPC(Optical Particle Counter)并将之商品化。对核武器污染控制，Sansiaaa Corp促成美国陆海空军规定之统一。透过AEC(核能部)向GSA(规格协会)申请规格化。于1963年2月，150位相关计术人员参加3天之讨论会拟定出规格。 1963年8月中向GSA(规格协会)提出规格案。 1963年12月出版FS209规格然而从1963年12月，美国发表**套洁净室规格表，随着科学进步与发展之日新月异，也随着实际之需要及半导体工业从1980年代之64K DRAM(Dynamic Random Access Memory 动态随机存取记忆体)、1987年代之1M(百万位元),以推展到目前之4M及16M和日后之64M、256M及1G时代而做不断的修正。表1-3为美国联邦标准FS209之修正过程。表1-3 美国联邦标准FS209之修正过程历时 3年 7年 3年 11年 1年 4年使用中年代 1963年 1966年 1973年 1976年 1987年 1988年 1992年月份 12月 8月 4月 5月 10月 6月 9月内容 209 209A 209B 209B之补充 109C 209D 209E 从*初之209以及到目前普遍使用之209D及209E，其中间修正之内容变化述于表1-4中。表1-4 FS209内容修正变化启用日期标准代号修正之内容 1963.12 209 洁净室运转原则 1966.8 209A 洁净室设计和测试方法。气流方式：层流和乱流。气流速度：90±20fpm. 压力。温度。相对湿度45%。震动。噪音。空气交换次数。洁净室等级分类：@0.5um Class 100、10,000、100，000。 1973.4 209B 气流修正为90±20%fpm. 相对湿度修正为40±5%。 1977.5 209B修正增加Class 1000. 1987.10 209C 修正洁净室等级和测试方法。增加Class 1和10。 Class 100 Particle之量测由5um和0.5um增加0.3um，0.2um. 明确定义量测Particle位置、样品数和时间。 Class 10和1 Particle之量测增加0.3，0.2及0.1um. 1988.6 209D 改正在209C上之一些印刷上错误。 1992.12 209E 采取公制单位。为明确表示公制法，于等级之前加"M"字母示之。追加比Class 1还高之洁净度Class M及比Class 100,000还低水准之Class M7.

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