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改善压控晶振温频特性方法
日期：2024-11-21 17:07
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摘要： 合适的压控范围
压控晶振的频率展宽是以牺牲谐振回路的品质因数为代价的。当压控晶振的压控范围较大时，在不同压控范围下，振荡电路中元器件对晶振温频特性的影响明显不同。压控晶振温频曲线的高低温翻转点相对于石英谐振器发生了的变化。并且，不同压控范围下，晶振和振荡电路的温频特性有明显差异。减小振荡电路的压控范围可以改善晶振的温频特性。所以，在压控范围满足应用要求的情况下，应适当调节频率展宽网络的参数，不要过分展宽，以免引起晶振温频特性的急剧恶化。
合理的激励功率
AT 切石英谐振器具有较明显的...
合适的压控范围
压控晶振的频率展宽是以牺牲谐振回路的品质因数为代价的。当压控晶振的压控范围较大时，在不同压控范围下，振荡电路中元器件对晶振温频特性的影响明显不同。压控晶振温频曲线的高低温翻转点相对于石英谐振器发生了的变化。并且，不同压控范围下，晶振和振荡电路的温频特性有明显差异。减小振荡电路的压控范围可以改善晶振的温频特性。所以，在压控范围满足应用要求的情况下，应适当调节频率展宽网络的参数，不要过分展宽，以免引起晶振温频特性的急剧恶化。
合理的激励功率
AT 切石英谐振器具有较明显的幅频效应，其激励电流与振荡频率之间存在如下关系Δf/f0 = Di2 q ( 8)
式中: Δf/f0 ———振荡频率的相对变化; D———电流常数; iq———石英谐振器的激励电流。
如果石英谐振器的激励过大，会导致晶振频率稳定度下降。实际上，石英谐振器的频率温度曲线并不是理想的三次曲线，经常会存在一些跳点。当激励偏大时，这些跳点的幅度就会变大，位置也可能发生变化，使晶体的温频曲线发生明显变形。并且，振荡电路的激励过大，也会使电路中其它元件的影响加大，从而进一步恶化晶振的频率温度稳定性。
石英谐振器的激励为 100μW 时，晶振频率温度稳定性为 ± 19． 43 × 10 － 6，激励为 500μW时晶振的频率温度稳定性为 ± 32． 17 × 10 － 6。激励为 500μW 时，晶振的高低温翻转点分别为 70℃ 和－ 40℃ ，而激励为 100μW 时，晶振的高低温翻转点分别为 60℃ 和 － 30℃。可见，减小激励可有效提高晶振的频率温度稳定性。因此，在设计高频宽压控晶振时，应尽量减小振荡电路对石英谐振器的激励，避免由于激励过大而引起的晶振频率稳定度下降问题 .
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