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人体静电放电的模式
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人体放电模式
(Human-Body Model,HBM)产生
的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其他因素在人体上已累积了静电,当此人去碰触到IC时,人体上的静电便会经由电子元器件而进入电子元器件内,再经由电子元器件放电到地去,如图1(a)所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时间内产生数安培的瞬间放电电流,此电流会把电子元器件内的元件烧毁。 不同HBM静电电压相对产生的瞬间放电电流与时间的关系见于图1(b)。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言,其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33安培。
图1(a)HBM的ESD发生情形
图1(b)在不同HBM静电电压下,其静电放电之电流与时间的关系
有关于HBM的ESD已有工业测试的标准,为现今各国用来判断IC之ESD可靠度的重要依据。图2显示此工业标准(MIL-STD-883Cmethod 3015.7)的等效电路图,其中人体的等效电容定为100pF,人体的等效放电电阻定为1.5K Ω。另\外在国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD)中,亦对此人体放电模式订定测试规范(EIA/JESD22-A114-A) ,详细情形请参阅该工业标准。
表1人体放电模式(HBM)的工业标准测试等效电路及其耐压能力等级分类
CLASSIFICATION
Sensitivity
Class 1
0 to1,999Volts
Class 2
2,000 to3,999Volts
Class 3
4,000 to15,999Volts
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