ESD分析Part(3)--静电失效判定芯片失效要依据测试的结果来判定，测试的方法应芯片的不同也有所差异，分析的手段也是多种多样。这里顺便介绍一种IC测试中常用的方法，是广泛使用而且相对直观的分析方法之一，就是微光显微镜分析。本网站中“latch-up分析”中开始时的照片就是通过此种方法得到的。微光显微镜具有极高的敏感度，通过侦测电流通过元器件时所发射出的微弱可见光，以提供分析所需的信息。这种方法常用于latch-up分析及漏电流分析等方面。(可以说是微光显影技术，通过局部过热而发出的光亮进行拍照，再上色标记，供电路设计人员分析)个人认为芯片是否失效，从普通用户角度讲就是能不能正常使用。对于应用用户来讲就是能不能达到规格的标准(spec.)。对于前者，可能更多考虑是产品的功能(当然坏的东西你也不会买，不过有可能买回来坏)，而后者也许会更加细致的进行测试，以确认不会有太大的漏电流造成过多的能耗。[3]中总结出三种，相对简便的测试和判定依据，1， **漏电流；2， 相对电流、电压漂移3， 功能观测法三者判定依据方法1：常规CMOS漏电流为1nA，如果测试I/O脚时结果电流超过1uA或者10uA，而且随偏压增大而增大。方法2：I-V特性曲线漂移过大([3]中认为大于30%)。 方法3：测试结果与spec.不符。对于[2]中新增的两种方法，似乎已被这三种情况所涵盖，所以个人认为没有必要。比如，短开路而言不具有普遍性，因此不应作为判定的依据。综上所述，一颗完整的芯片，首先应满足用户的功能需求(这一步对测试来说，相对繁琐一些，所以放在弟三位)。前两者，可以选取PIN脚进行测试(按针对本芯片的测试方法进行)，如果已经认定，自然就不要再作后面更繁琐的工作了。(望指正)工业标准对产品ESD敏感度作了等级评定，详情请查阅相关标准。对ESD failure threshold 的取值，应取极小值，也就是说对于一批芯片来说以承受电压济低的那颗为准，对于一颗芯片来说以承受电压济低的PIN来定义这颗芯片的ESD failure threshold。一批芯片济好要测 5 颗以上，但一般只会测 3 - 5 颗。在询问和请教了某公司**专家以后，得知通常的一些情况，比如四种放电模式中以HBM为济基本的测试模式。判定fail的情况也是只会用到两种，一是function是否正常，二是测漏电流。
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