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晶体管图示仪的

晶体管图示仪的荧光屏的刻度可以直接观测半导体管的共集电极，共基板和共发射极的输入特性，输出特征，转换特征，β参数以及α参数等，并可根据需要，测量半导体管的其他各项极限特性与击穿特性参数，如反向饱和电流Icbo,Iceo和各种击穿电压BVceo、BVcbo、BVebo等。

可以从示波管的荧光屏上自动显示同一只半导体管的四种h参数，也可以同时进行二只半导体管的四种h参数自动比较或任选的两种h参数自动比较。

Y轴

集电极电流范围：1μA-200mA/div ，按1、2、5顺序分17档，误差≤±3%

漏电流范围:10nA-500nA/div,按1、2、5顺序分6档，误差≤±10%

基极源电压：0.01V-1V/div，按1、2、5顺序分7档，误差≤±3%

X轴

集电极电压范围：0.01V-50V/div ，按1、2、5顺序分12档，误差≤±3%

基极电流或基极源电压：0.1V/div ，误差≤±3%

阶梯信号

阶梯电流范围：0.1μA/级-20mA/级，按1、2、5顺序分17档，误差≤±5%

阶梯电压范围：0.01V/级-1V/级，按1、2、5顺序分7档，误差≤±5%

阶梯极性：正、负两档,由测试盒NPN,PNP转换开关实现

串联电阻：0-300KΩ,按1,3顺序分为11档,误差≤±5%

每秒级数：200

阶梯输入：正常、零电压、零电流三档

集电极扫描信号

峰值电压及电流容量：0-50V 2A(峰值) 0-500V 0.2A(峰值)

功耗限制电阻：0-500KΩ ,按1、2、5顺序分19档，误差≤±5%

校准电压：可进行—10div校准，分—0.1V、—0.2V、—0.5V、—1V四档

电源：220V±10% 50Hz±5%

功率消耗：约45VA(时约92VA)

预热时间：15min

尊敬的客户：

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