例 如飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)*近就透露，该公司正在14至16纳米节点采用FinFET技术，以及在28纳米节点采用FD-SOI工艺技术，只为了达成 相同的目标－－更高的速度以及更低的功耗－－不过是针对不同的半导体组件产品；此外飞思卡尔也在尝试在下一世代的半导体工艺节点，将两种技术结合在一起。
“飞 思卡尔与所有的晶圆代工厂商都有合作关系，也具备从低复杂性到超高复杂性的工艺技术与连结技术能力，其中有很多是**的；”飞思卡尔微控制器(MCU)事 业群的应用处理器与先进技术副总裁Ron Martino表示：“因此，我们已经针对FinFET与FD-SOI工艺开发了优化的技术蓝图。”
Martino 进一步举例指出，FD-SOI晶圆片较昂贵，不过适合低功耗或高性能的应用，搭配飞思卡尔的28纳米i.MX非常**；至于FinFET工艺，该公司认为 该技术是数字连网(digital networking)产品线成功的关键，能以良好的价格与性能比达成他们提高产品速度的目标。
SOI产业联盟(成员包括IBM、Imec、Soitec、ST与飞思卡尔)已经尝试将FinFET技术与SOI结合，图中显示埋入氧化层(buried-oxide，BOX；图右)已经为FD-SOI薄化 (图片来源：SOI产业联盟)
Martino甚至认为，未来可能会有一些透过结合FinFET与FD-SOI所带来的“惊喜”，也许是将这两种技术在下一个半导体工艺节点合并在一起，同时在未来许多年维持以28纳米FD-SOI制造较低端的产品。
“FD- SOI工艺需要传感器整合，28纳米节点具备所需的RF与模拟功能，能让许多可穿戴式设备在链接性与低功耗方面取得具吸引力的平衡；”Martino表 示：“各个节点的甜蜜点(sweet spot)是FD-SOI在40纳米节点与28纳米节点，FinFET则是更先进的节点如14~16纳米节点。在工艺微缩以及成本的优化方面，我们将看我 们能如何有效地利用FD-SOI与FinFET。”
图中显示在SOI上的FinFET之鳍式晶体管如何能被更好的隔离，以及无期限的通道如何简化了工艺步骤 (图片来源：SOI产业联盟)：SOI产业联盟)
意 法半导体(STMicroelectronics)是选择FD-SOI优先于FinFET，前者是藉由在晶体管(BOX)之下放置一层薄的绝缘体，因此让 未掺杂的通道达到全空乏(full-depletion)，将泄漏电流缩减到*小。不过FD-SOI还有一个通常被忽视的优势，是极化 (polarize) BOX下方基板的能力，也就是“顺向基底偏压(forward body biasing，FBB)”。
顺向基底偏压在功耗与性能折衷的优化方面非常有效率，而且藉由在运作过程中改变偏置电压，设计工程师能让他们的晶体管在不使用时达到超低功耗，但又能在速度如常时于****达到超高效能。