硅单晶多晶磷检棒寿命测量仪 单晶少子寿命测试仪 硅单晶非平衡少数载流子寿命检测仪 半导体材料少数载流子寿命测量仪

硅单晶多晶磷检棒寿命测量仪 单晶少子寿命测试仪 硅单晶非平衡少数载流子寿命检测仪 半导体材料少数载流子寿命测量仪

型号AODJ-LT-2

JC03-LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国A.S.T.M标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。

本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放大器，特制的InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。

技　术　指　标：

测试单晶电阻率范围>2Ω.cm

可测单晶少子寿命范围5μS～7000μS

配备光源类型波长：1.09μm；余辉<1μS；

闪光频率为：20～30次／秒；

闪光频率为：20～30次／秒；

高频振荡源用石英谐振器，振荡频率：30MHz

前置放大器放大倍数约25，频宽2Hz-1MHz

仪器测量重复误差<±20％

测量方式采用对标准曲线读数方式

仪器消耗功率<25W

仪器工作条件温度：10-35℃、湿度<80％、使用电源：AC220V，50Hz

可测单晶尺寸断面竖测：φ25mm—150mm；L2mm—500mm；

纵向卧测：φ25mm—150mm；L50mm—800mm；

配用示波器频宽0—20MHz；

电压灵敏：10mV／cm；

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