等离子刻蚀系统
用于高精度加工各种半 导体和绝缘膜的刻蚀装置。利用独自 的电子线圈,生成高密度均一的等离 子。可根据加工材料和目的不同,选 择相应的等离子。
设备特点:
通过 Tornado ICP,可产生稳定高密度的等离子,进行高选择比高精度刻蚀。
通过变更ICP 电极,可在更低压区域高效地产生等离子,实现低损害。
采用大流量排气系统实现广流量多压力范围的使用。
通过调整ESC(静电卡盘)和He冷却系统,控制晶圆温度。
通过干涉型终点控制器,实现高精度的终点检测,精准达到目标刻蚀效果。
应用:
化合物半导体的刻蚀(GaN,GaAs,InP 等)
半导体激光,量子点制 硅和碳化硅的纳米级细微刻 各种金属膜的刻蚀
选配:
Tornado ICP Type B 增设供给工艺气体系统 终点控制器(干涉型,分光型)