等离子刻蚀系统
用于高精度加工各种半 导体和绝缘膜的刻蚀装置。利用独自 的电子线圈，生成高密度均一的等离 子。可根据加工材料和目的不同，选 择相应的等离子。
设备特点：
通过 Tornado ICP，可产生稳定高密度的等离子，进行高选择比高精度刻蚀。
通过变更ICP 电极，可在更低压区域高效地产生等离子，实现低损害。
采用大流量排气系统实现广流量多压力范围的使用。
通过调整ESC（静电卡盘）和He冷却系统，控制晶圆温度。
通过干涉型终点控制器，实现高精度的终点检测，精准达到目标刻蚀效果。
应用：
化合物半导体的刻蚀（GaN，GaAs,InP 等）
半导体激光，量子点制 硅和碳化硅的纳米级细微刻 各种金属膜的刻蚀
选配：
Tornado ICP Type B 增设供给工艺气体系统 终点控制器（干涉型，分光型）