半导体参数测试仪 - 深圳市华科智源科技有限公司

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产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	igbt测试设备 HUSTEC-1600A-MT	品牌：华科智源名称： IGBT测试仪型号： HUSTEC-1600A-MT 用途：广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机等行
	功率半导体参数测试仪 HUSTEC-1600A-MT	华科智源功率器件测试仪，测试二极管、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
	光耦参数测试系统 HUSTEC-1600A-MT	华科智源功率器件测试仪，测试二极管、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
	光耦测试仪 HUSTEC-1600A-MT	华科智源功率器件测试仪，测试二极管、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
	场效应管测试仪 HUSTEC-1600A-MT	华科智源功率器件测试仪，测试二极管、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
	碳化硅器件测试仪 HUSTEC-1600A-MT	华科智源功率器件测试仪，测试二极管、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
	可控硅测试仪 HUSTEC-1600A-MT	华科智源功率器件测试仪，测试二极管、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
	功率半导体测试设备 HUSTEC-1600A-MT	华科智源功率器件测试仪，测试二极管、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
	酸开封机	名称：酸开封机型号： RKD Elite Etch 品牌： RKD 名称：酸开封机用途：对器件进行开帽，DECAP
	激光开封机	设备名称：激光开封机/Laser Decapsulator 设备型号：SMART ETCH II P-20 基本原理：芯片激光开封机的工作原理是利用高能激光蚀刻掉芯片或者电子元器件的塑封外壳，从而光学观测或者电气性能测试提供了可能性，以便于实现X射线等无损检测无法实现的功能。激光开封技术也可以在不破坏芯片或者电路的整体功能的前提下，去除局部的塑封材料，进行测试甚至修复实验。与化学开封技术相比，激光开封更加高效，同时避免了减少强酸环境暴露。
	超声波扫描显微镜 UTScan400	超声波扫描显微镜品牌：津上智造型号：UTScan400 产品简介：扫描显微镜是一种利用传播媒介的无损检测设备。在工作中采用反射或者透射等扫描方式来检查元器件、材料、晶圆等样品内部的分层、空洞、裂缝等缺陷。
	SIC碳化硅器件参数测试仪 HUSTEC-3000	SIC碳化硅器件参数测试仪功能及主要参数：适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。品牌：华科智源名称： SIC动态参数测试仪型号： HUSTEC-3000 用途： SIC器件，MOS管， IGBT单管、模块，二三极管测试
	IGBT静态参数测试仪	品牌：华科智源名称： IGBT测试仪型号： HUSTEC-1600A-MT 用途：广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机等行
	功率循环测试仪	华科智源-功率循环老化设备主要是针对IGBT/SIC的封装可靠性行进行实验,通过控制实验条件再现IGBT封装的主要两种失效方式:键合线失效和焊料层老化。实验的关键是控制结温的波动范围以及*高温度,得到不同条件下的实验寿命,从而得到IGBT的寿命。
	浪涌电流测试仪 HUSTEC-IFSM-1200A	品牌：华科智源名称：浪涌电流测试仪型号： HUSTEC-IFSM-1200A 用途：浪涌电流测试仪，可测试二极管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌电流能力，可输出底宽10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌电流根据具体需求可选择800A,1200A,3000A以及定制8000A以上，*大电流可达50kA;
	栅极电阻测试仪 HUSTEC-CV-1200	品牌：华科智源名称：栅极电阻测试仪型号： HUSTEC-CV-1200 栅极电阻测试仪，可以测试MOS管，IGBT，SIC器件的栅极电阻和栅极电容，包含Ciss 输入电容 Coss 输出电容 Crss 反向电容，Rg等参数，可以单点测试，也可以扫描测试曲线；
	雪崩能量测试	品牌：华科智源名称：雪崩能量测试仪用途：用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试
	晶体管图示仪 HUSTEC-200-MT-P	品牌：华科智源名称：晶体管图示仪型号： HUSTEC-DC-2020 用途：测试二三极管，MOS管，IGBT，晶闸管，可控硅等设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。
	分立器件参数测试仪 HUSTEC-200-MT-P	品牌：华科智源名称：分立器件测试仪型号： HUSTEC-DC-2010 用途：测试二三极管，MOS管，IGBT，晶闸管，可控硅等面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。
	静态参数测试仪 HUSTEC-1600A-MT	华科智源功率器件测试仪，测试二极管、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。

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