SIC碳化硅器件参数测试仪 HUSTEC-3000 深圳市华科智源科技有限公司

如果您对该产品感兴趣的话，可以
产品名称：SIC碳化硅器件参数测试仪
产品型号：HUSTEC-3000
产品展商：华科智源
产品文档：无相关文档

简单介绍

SIC碳化硅器件参数测试仪功能及主要参数：适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。品牌：华科智源名称： SIC动态参数测试仪型号： HUSTEC-3000 用途： SIC器件，MOS管， IGBT单管、模块，二三极管测试

产品描述

产品详情
功能及主要参数：
适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。
主要技术参数：
IGBT开关特性测试
开关时间测试条件
Ic：50A～1000A Vce：200V～2000V
Vgs：-10V～＋20V Rg：1R～100R可调(可选择4档及外接)
负　　载：感性负载阻性负载可切换
电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH
电阻范围：0.5R、1R、2R、4R
IGBT开关特性测试参数
开通延迟td(on): 20nS -10uS
上升时间tr: 20nS -10uS
开通能量Eon： 0.1-1000mJ
关断延迟时间td(off)：20 nS -10uS
下降时间 tf： 20nS -10uS
关断能量Eoff：0.1-1000mJ
二极管反向恢复特性测试
FRD测试条件：正向电流IF：50A～1000A；反向电压 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us ；负载：感性负载可选
电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH
FRD测试参数
反向恢复时间trr：20nS -2uS
反向恢复电荷Qc：10nC~10uC；
反向恢复电流Irm：50A~1000A
反向恢复损耗Erec：0.1mJ～1000mJ
产品优势
国内**能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。

产品留言

标题

联系人

联系电话

内容

验证码

点击换一张

注：1.可以使用快捷键Alt+S或Ctrl+Enter发送信息!
2.如有必要,请您留下您的详细联系方式!

温馨提示：为规避购买风险，建议您在购买前务必确认供应商资质与产品质量。
免责申明：以上内容为注册会员自行发布，若信息的真实性、合法性存在争议，平台将会监督协助处理，欢迎举报

产品目录

产品资料

SIC碳化硅器件参数测试仪