高性能电子光学系统 二次电子分辨率: 顶位二次电子探测器(2.0 nm at 1kV)* 高灵敏度: 高效PD-BSD, 超强的低加速电压性能,低至100 V成像 大束流(>200 nA): 便于高效微区分析 性能优异 压力可变: 具有优异的低真空(10 -300 Pa)成像性能,配备高灵敏度低真空探测器(UVD)* 开仓室快速简单换样( 大样品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH) 微区分析: EDS, WDS, EBSD等等 项目 内容 分辨率 1.2 nm @ 30 kV 3.0 nm @ 1 kV 2.0 nm @ 1 kV 减速模式*1 3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2 放大倍率 10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素) 30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素) 电子光学系统 电子枪 ZrO /W 肖特基式电子枪 加速电压 0.5 - 30 kV (0.1 kV 步进) 着陆电压 减速模式: 0.1 - 2.0 kV *1 大束流 > 200 nA 探测器 低位二次电子探测器 低真空模式*2 真空范围: 10 - 300 Pa 马达台 马达台控制 5 - 轴自动 (优中心) 可动范围 X:0~100mm Y:0~50mm Z:3~65mm T:-20~90° R:360° 大样品尺寸 大直径: 200 mm 大高度: 80 mm 选配探测器 高分辨率顶位二次电子探测器*1 高灵敏度低真空探测器 (UVD) 5分割半导体探测器 (PD-BSD)*3 能谱仪 (EDS) 波谱仪 (WDS) 背散射电子衍射探测器 (EBSD) *1: 减速功能(包含高分辨率顶位二次电子探测器) *2: 低真空功能(包含5分割半导体探测器) *3: 空压机(本地采购) *: 选配附件
选配附件
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