产品详情
简单介绍：
KOYO光洋SiC功率半导体制造设备VF-3000H
KOYO光洋SiC功率半导体制造设备VF-3000H
详情介绍：
超高温处理是可能的，也是功率器件制造的理想选择。
迷你批次，50页加工，研发到批量生产线
支持3到6英寸的各种晶圆尺寸
炉子具有独特的无金属结构
可以在晶片附近进行温度监测
N2加载锁作为标准设备
配备C至C转移，实现高通量
立式炉，可自动转移3-6英寸晶圆，可用于研发和批量生产。
迷你批次，50页加工，研发到批量生产线
支持3到6英寸的各种晶圆尺寸
炉子具有独特的无金属结构
可以在晶片附近进行温度监测
N2加载锁作为标准设备
配备C至C转移，实现高通量
对应于H2气氛中的沟槽圆形退火（可选）
能够以小批量处理50个晶圆，并支持3到6英寸的各种晶圆尺寸。 通过仔细选择硬件和控制系统的内容，可以从研发应用到批量生产线的立式炉。 炉子具有独特的无金属结构。 也可以使用实验机器（没有晶片传输）。 它还支持用于活化退火的超高温工艺。
规格
| 使用温度范围 | 700~1850℃(H2退火时，~1800℃ |
|---|---|
| 晶片尺寸 | 3到6英寸 |
| *大处理张数 | 五十张 |
| 使用气体 | n2、Ar、h2(可选) |
| 用途 | SiC功率器件用、研究开发、量产用、活性化退火 |
