为了实现始终如一的可靠性能 和零维护,您每次都可以依赖于 Edwards 的 STP Maglev 涡轮分子泵 来实现。
我们的**套 STP Maglev 涡轮分子泵于 1983 年售出,现在已经在世界各地 安装了 130,000 多套。其中的 85% 都运行于半导体制程工具中, 表现出了**的性能级别和可靠性。
对于需要长时间正常运行、无碳氢 化合物泵送、维护量少和低振动的应用, STP Maglev 涡轮分子泵是优选泵。转子通过磁力轴承实现完全 悬浮,因此,消除了转子与泵其余部分之间的 所有接触。除振动极低之外,消除接触 还意味着转子旋转时 不会发生轴承接触,也就无需对泵进行后续 维护。
产品开发的每个设计阶段均 融合了节能技术,以确保降低 能耗和提升运行效率,同时不损害 质量和性能。
提高了生产效率:更快抽空到基准压力
体积紧凑: 节省空间并且易于安装
低拥有 成本:低功耗和水电消耗
免维护: 经济
平板显示器我们丰富多样的 STP Maglev 涡轮分子泵旨在*大限度地提高基板吞吐量和*终零湿度制程条件,同时尽可能降低功耗、占地面积和重量。
LED我们*新的 STP Maglev 涡轮分子泵产品系列是适用于大容量高流速应用的“一体化”低功耗紧凑型解决方案。
光电我们的 STP Maglev 涡轮分子泵已进行优化,可满足客户的特定应用要求,同时具有**的制程气体处理能力、始终如一的性能的*高可靠性。
半导体加工 完全磁悬浮转子经过专门设计,降低了舱室污染并延长了维修间隔,使得 STP Maglev 涡轮分子泵成为您的制程工具的可靠之选。
先进的 高吞吐量系列全新的“优势”系列 磁悬浮涡轮泵经过专门设计,可提供下一代 半导体蚀刻和 CVD 制程所需的*高吞吐量 级别。它们是以超可靠、高性能 H 系列产品 为基础,通过持续改进技术开发而成。 其先进的转子技术和 3D 叶片设计与一系列可供选择的 *佳材料相结合,因而能够在与现有的许多型号相同的 占用空间内创造出下一代高吞吐量涡轮泵。 该系列包含的泵具有 300 l/s 到 4500 l/s 的生产效率, 吞吐量高达 6 slm,并具有更高的 H2、N2 和 Ar 性能。
完全 集成的控制器和电源这是真正的一体化涡轮泵 解决方案,具有出色的特性并可实现节省。 完全集成的控制器不再需要非集成控制器 通常所需的连接电缆和机架,有助于减小 占地面积,节省宝贵的工厂用地以及安装时间和 成本。此外,板载控制器包含一个小型电源, 与现有产品相比,它可在高气体流量下实现 大约 32% 的能耗降低。此系列产品的生产效率 为 300 l/s 到 4500 l/s,这意味着它是许多制程和应用的 理想选择。
超 高真空 超高真空系列 磁悬浮涡轮分子泵是供许多半导体、表面科学 或高能物理领域使用的优选泵。这种泵 具有****的可靠性、性能、清洁程度以及**的 低振动级别。这些泵全部是直流供电,无需使用 电池,采用一个具有自动调节和先进诊断功能的 半机架控制器。该系列中泵的速度范围为 300 l/s 到 1000 l/s,极限压力小于 10-10 mbar(CF 法兰),另外 还有一个用于严苛制程的“C”型。
超 高真空低振动系列超高真空低振动 型包含超高真空涡轮分子泵的所有特性, 另外还有一个内置隔振器,可提供超低振动 性能。
通过从我们的 SCU 控制器 系列中进行选择,选择正确的控制器以便与您的 STP Maglev 涡轮泵配合使用。
SCU-350 控制器SCU-350 控制器是符合 EU-RoHS 标准 的控制器,适用于小型涡轮泵。它完全兼容 当前的控制器型号,但是低频范围下的抗振性 更好。它的输入电压也 较低,有助于降低电气容量和工具 功耗。SCU-350 的电噪抗扰度得到提高,并具有 通用电压功能,工作电源电压范围为 100-240 VAC, 无需进行切换。
SCU-800 控制器SCU800 涡轮泵控制器是一种 完全数字化的控制器,对于中型泵具有**的兼容性。 新的 AVR(自动减振)技术可进一步降低 振动级别,而**预维护调用功能可以提前通知 准确的维护时间。
SCU-XL800 控制器完全数字化的 SCU-XL800 涡轮泵 控制器与 600 l/s 到 1300 l/s 范围内的 STP 涡轮泵 兼容。SCU-XL800 可降低 300 Hz 以下的振动级,这种级别的振动使用机械隔振器 很难消除。它使用数字信号处理器 (DSP) 技术, 可在整个频谱范围内实现亚毫微米的振动级。 此控制器适用于电子显微镜检查、度量学和光刻系统, 在这些系统中,低的振动对于应用至关重要。
SCU-1600 控制器完全数字化的 SCU-1600 涡轮泵控制器与 2000 l/s 到 4500 l/s 范围内的 STP 涡轮泵兼容。它提供可靠性、增强的 通信功能以及泵的兼容性,减少了对后备装置的要求 并极大降低了总运行成本。
金属(铝)、钨和电介质(氧化物)以及多晶硅等离子刻蚀(氯化物、氟化物和溴化物)
电子回旋共振 (ECR) 刻蚀
薄膜沉积 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
溅射
离子注入源,射束线泵送端点站
MBE
扩散
光致抗蚀剂脱模
晶体/晶膜生长
晶片检查
负载锁真空腔
科学仪器:表面分析、质谱分析、电子显微镜
高能物理:射束线、加速器
放射线应用:融合系统、回旋
符合 SEMI®,具有 CE 标记,列于 UL 中