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增透膜化学气相沉积法
增透膜化学气相沉积法
　　化学气相沉积法（CVD）(增透膜)是把含有构成薄膜元素的气体供给衬底，利用加热、等离子体及紫外光等能源，在衬底上发生化学反应沉积薄膜，可以制备 SiN、ZnS、SiO2、SiC 等太阳能电池减反射膜。
　　CVD 法有很多优点：薄膜形成方向性小，微观均匀性好；薄膜纯度高，残余应力小，延展性强；薄膜受到的辐射损伤较小。
　　CVD 的主要缺点是需要在高温下反应，衬底温度高，沉积速率较低，一般每小时只有几微米到几百���米，使用的设备复杂，基体难以进行局部沉积以及反应源和反应后的余气都有一定的毒性等。CVD常常以反应类型或 者压力来分类，常用的有以下几种：低 压 CVD（LPCVD）[20]、常压 CVD（APCVD）、亚常压 CVD（SACVD）、(增透膜)超高真空CVD（UHCVD）、等离子体增强 CVD（PECVD）、高密度等离子体CVD（HDPCVD）以及快热 CVD（RTCVD）。
　　等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）是工业沉积多种材料应用*广泛的方法。　 

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