可靠性试验的目的
可靠性试验的目标是通过模拟和加速半导体元器件在整个寿命周期 中遭遇的各种情况（器件应用寿命长短） 可靠性试验目的：使试制阶段的产品达到预定的可靠性指标。对产品的制作过程起监控作用。根据试验制定出合理的工艺筛选条件。通过试验可以对产品进行可靠性鉴定或验收。通过试验可以研究器件的失效机理。
可靠性试验的分类
温度循环试验(TCT)
目的：利用高低温对膨胀和收缩的机械密封应力 作用下的非密封封装固态器件的耐久性
检测能力：温度范围：-75℃~250℃
覆盖产品：模块、MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， 等分立半导体器件
执行标准：GB，JEDEC，AEC或客户自定义等
高温储存试验(HTSL)
目的：评估产品长时间暴露在高温下的耐久性
检测能力：温度*高300℃
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件 执行标准：GB，JEDEC，AEC或客户自定义等
高温栅偏试验(HTGB)
目的：评估器件此测试加速介质击穿并检查栅氧 化层质量。
检测能力：温度*高200℃，电压*高2000V
覆盖产品：MOSFET、IGBT、等半导体器件
执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
高温反偏试验（HTRB)
目的：评估器件在*大额定反向直流电压和结温 下的持久能力
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件 执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等
热疲劳试验(TFAT)
目的：评估抵抗由间歇施加负载引起的结温波动 的能力。
检测能力：0～80.0V/0～60A
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半导体器件
Power module
检测能力：0-500A
覆盖产品：Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半导体器件
高温高湿反偏压试验(H3TRB)
目的：评估器件在高温下*大额定直流电压和湿 度的综合影响下器件的能力。
检测能力：温度-45~150℃；湿度：0-99%RH,电压*高300V
高压锅试验(PCT)
目的：主要适用于产品抗湿性评估及坚固性测试， 评估元器件在高温和高压条件下抵抗潮湿相关失 效的能力
检测能力：温度121℃ 湿度100%
覆盖产品：MOSFET、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导 体器件
加速抗湿性试验(UHAST)
目的：这个测试方法主要适用于抗湿性评估和坚固性测试，并可能被用作无偏置高压锅试验的替代品
检测能力：温度130℃ 湿度85%/温度110℃ 湿度85% 覆盖产品：MOSFET、DIODE、Transistor、SCR，等分立半导体器件
高加速温度湿度应力试验(HAST)
目的：评估元器件在通电，高温，高湿和高压条件下抵抗潮湿相关失效的能力
检测能力：温度130℃ 湿度85%/温度110℃ 湿度85%
With bias
覆盖产品：MOSFET、DIODE、Transistor、SIC等分立半导体器件
预处理（Pre-con)
目的：模似器件在包装，运输 ，贴片过程中影响 产品的性能评估
检测能力：室温~400℃；加热温区：上10/下10
覆盖产品：所有SMD类型器件
湿气敏感度等级评估（MSL)
实验目的：评估产品对湿气的敏感度
评估那些由湿气所诱发应力敏感的非密封固态表面贴装元器件的分类,以便对其进行正确的封装, 储存和处理, 以防回流焊和维修时损伤元器件。
低温储存试验(LTSL)
目的：低温储存试验具有代表性的被用来判断温 度和时间对储存环境下固态电子元器件的影响 （热激活失效机制）
检测能力：温度低-75 ℃
ESD
检测能力：HBM*大电压：8000V；MM*大电压：800V
覆盖产品：MOSFET、IGBT、IC等产品
执行标准：MIL，AEC等
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