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  文件名称:  功率半导体双脉冲 测试分析
  公司名称:  苏州天仪科创机电科技有限公司
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      在汽车和工业应用中,由于硅基半导体性能的局限性, 功率电子中使用的半导体材料正逐渐从硅过渡到如碳 化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这类宽禁带半导体。GaN 和SiC 支持更小、更快、更高效的设计。规制和经济压 力持续促使高压功率电子设计的效率提高。在空间受限 和/ 或移动应用(例如电动汽车)中,更小、更轻的设计 的功率密度优势尤为明显,而从系统成本降低的角度来 看,更紧凑的功率电子设备也普遍受到青睐。同时,随着 政府推出财政激励措施和更严格的能效规定,效率的重 要性日益增长。例如,欧盟的Eco-design 指令、美国能 源部2016 年效率标准、中国质量认证中心(CQC)标志 等全球实体发布的指南,都在管理电气产品和设备的能 效要求。从电力生成到消耗的各个阶段,功率电子都需 要实现更高的能效,如图1 所示。功率转换器在生成、 传输和消耗链的多个阶段运作,由于这些操作没有一个 是100% 高效的,因此每一步都会有一些功率损失。主 要由于热能损失,这些效率的整体下降在整个周期中不 断加剧。
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