源表图形化SMU

源表图形化 SMU2450

波形曲线分析解决方案

在 2400 系列图形化 SMU 上安装 I-V 记录器软件，在功能上替换 Tektronix 576 或 370 等传统波形记录器。无需配置扫描或连接到其他软件，即可快速探寻两端器件的特征。

详细了解 Keithley I-V 记录器

观看概述

源表图形化 SMU2450

制造大功率开关

5G、汽车和替代能源市场对更高效高压半导体的需求促使对 SiC 和 GaN 等新技术的测试和研究日益复杂。您的测试设备需要发展以跟上步伐。

 2470 SMU 在击穿电压、泄漏电流、隔离测试、耐压和介电耐压测试等测量方面增加了多项功能，可让您更快地了解情况。

源表图形化 SMU2450

使测量登上全新高度

SMU 仪器可捕获更详细的设备行为，并在扩展范围内检定设备，因此您能更好地了解设备，提高其质量，改善其性能。

测试高亮度 LED

特点

• 6½ 位**分辨率源和测量
• 1 M 个样点/秒数字化测量速度
• 电流：10nA - 7A 直流，10A 脉冲
• 电压：200mV - 200V
• 功率：可达 100W 直流 - 1000W 脉冲

源表图形化 SMU2450

直观 UI。 智能且快速。

在直观、多点触控用户界面上能测量、查看和发现更多细节，从原始读数到直方图，再到基于时间和基于电压/电流的波形，并且能更快速地获得答案。

操作方式视频

特点

• 五英寸触摸屏，具有精心设计的颜色组合和屏幕布局
• 简单的导航和**菜单及设置
• 可存储 2750 万个数据，具有时间标记，全部可在仪器上查看

源表图形化 SMU2450

****的多功能性和投资回报。

SMU 仪器将多功能性提高到一个新高度，适合现今应用和未来**。配置精密电源、6½ 位数字万用表、电流源、电压源、皮安表、电子负载等。

漏电流和绝缘电阻测量

充电电池充电/放电（电流）循环

源表图形化 SMU2450

学习更多， 获得

源测量单元教程学习中心将关于 Keithley SMU 和其他产品的大量信息都放在一个方便的位置。 我们提供指向与我们所服务的应用和行业相关的各种内容的链接

源表图形化 SMU245

降低成本并保护您

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2450 型图形化 SourceMeter S

2450 型是 Keithley 的下一代 SourceMeter 源测量单元 (SMU) 仪器，可轻松执行欧姆定律（电流、电压和电阻）测试。其**的图形用户界面 (GUI) 和先进的电容式触摸屏技术让使用变得非常直观，并*大程度地减少学习曲线，从而使工程师和科学家能够更快地学习、更智能地工作且更轻松地进行发明创造

五英寸高分辨率电容式触摸屏 G

0.012％ 基本测量精度，具有 6½ 位分辨

2460 型图形化高电流 SourceMeter SM

2460 高电流 SourceMeter® 源测量单元 (SMU) 仪器凭借其 7A 直流电流和脉冲电流能力，优化用于检定和测试大功率材料、器件和模块，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、DC-DC 转换器、功率 MOSFET、太阳能电池和电池板、LED 和照明系统、电化学电芯和电池等

2460 型图形化高电流 SourceMeter SMU

2460 高电流 SourceMeter® 源测量单元 (SMU) 仪器凭借其 7A 直流电流和脉冲电流能力，优化用于检定和测试大功率材料、器件和模块，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、DC-DC 转换器、功率 MOSFET、太阳能电池和电池板、LED 和照明系统、电化学电芯和电池等。

• 覆盖范围广，*高可达 105V，7A DC/7A 脉冲，100W。
• 0.012％ 基本测量精度，具有 6½ 位分辨率
• 与 KickStart 软件结合使用

全新 20mV 和 10nA 源/测量范围提高了灵敏

内置上下文相关前面板帮

2461 型图形化高电流数字 SourceMeter SM

2461 高电流 SMU 凭借其 10A/1000W 脉冲电流和 7A/100W 直流电流能力以及双 18 位 1MS/s 数字转换器，优化用于检定和测试高功率材料、器件和模块，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、DC-DC 转换器、电路保护设备、太阳能电池和电池板、高亮度 LED 和照明系统、电池等

覆盖范围广，*高可达 105V/7A DC 100W，100V/10A 脉冲 1000

双 1 MS/s 数字转换器，用于快速采样测

0.012% DCV 精度，具有 6½ 位分辨

与 KickStart 软件结合使

2470 型图形化高压 SourceMeter SM

2470 高压 SMU 凭借其 1100V 和 10fA 能力，经优化用于检定和测试高电压、低泄漏器件、材料和模块，如碳化硅 (SiC)、氮化镓(GaN)、功率 MOSFET、瞬态抑制器件、电路保护器件、功率模块和电池等

覆盖范围广，*高可达 1100V/1A DC 20

10fA 测量分辨

0.012% DCV 精度，具有 6½ 位分辨

与 KickStart 软件结合使

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