双通道ALD管式炉系统--ALD--1200X-4

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产品名称：双通道ALD管式炉系统--ALD--1200X-4
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发布时间：2018-03-30
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产品描述

ALD-1200X-4是一款4英寸管式炉系统，包含用于原子层沉积的2个ALD进气阀、1个精密液体气相发生器以及用于CVD生长纳米材料和薄膜材料的4通道质子流量计控制系统。该管式炉系统简洁的设计使得更多的科研院所能够在可负担的低成本情况下实现ALD工艺实验。

相关文献：Negating interfacial impedance in garnet-based solid-state Li metal batteries

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技术参数

控制面板	蒸汽压力、ALD以及气体流量参数均可通过一6英寸接触屏由PLC进行控制两个ALD进气阀请点击下图查看控制面板（点击图片查看详细资料）
ALD进气阀	两个ALD脉冲电磁阀（*小可在10ms完成阀门的开启或关闭）
精密液体气相发生器	精密液体气相发生器包含在本系统中并且连接到ALD进气阀
双温区管式炉	连续工作的高温度为1100℃ 两个温区由两个独立的温控系统来控制，而且都为PID30段程序化控温每个加热区长度为200mm，加热区总长度为400mm 如两区域加热至同一温度时，恒温区长度为250mm 炉管两端放置管堵时两温区的大温度差为500℃ 输入电压：208-240V AC，单向 *大功率为4KW
防腐型数显真空计	测量范围：3.8x10^-5 -1125 Torr 耐腐蚀对于气体的压力检测具有较高的**度和重复性可实现快速的气体监测，响应时间较短易于更换插头及传感元件
真空泵（选配）	管内真空度可达10^-2Torr 真空泵不包含在本系统内，如您进行CVD实验可点击下图选购无油涡旋真空泵
混气系统	可选购气液混合装置，用于CVD系统可选购恒温控制模块
更新观念	您可采用ALD设备搭建等离子增强原子层沉积+化学气相沉积系统（PE-ALD+CVD）和等离子增强原子层沉积+物**相沉积+化学气相沉积系统（PE-ALD+PVD+CVD），用于生长各类材料 ( PE-ALD+CVD) ( PE-ALD+PVD +CVD)
质保期	一年保质期，终身维护（不包含炉管，加热元件和密封圈）
	CE认证所有电器元件（＞24V）均满足UL/MET/CSA认证如您另付费用，我们可保证单台仪器通过TUV（UL61010）或CSA认证
注意事项	炉管内气压不可高于0.02MPa 由于气瓶内部气压较高，所以向炉管内通入气体时，气瓶上必须安装减压阀，建议在本公司选购减压阀，本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加**** 当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压相当，保持在常压状态进入炉管的气体流量需小于200SCCM，以避免冷的大气流对加热石英管的冲击点击此处了解如何选择本公司石英/陶瓷管以及管式炉真空法兰本公司有权随时修改PE-CVD系统的设计不再另行通知，但我们保证修改之后的仪器质量可以达到和超过上述标准

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