武汉迈可诺科技有限公司
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主营:主营产品:Laurell匀胶机/旋涂仪、甩胶台、匀胶台、涂膜机、旋转涂敷仪, Harrick等离子清洗机,PPC微波等离子去胶机, SCE等离子去胶机,Diener等离子清洗机,Cargille光学试剂,恩科优光刻机/曝光机,Carver压片机/热压机,WABASH热压机,DAKE手压机,Alconox粉末清洁剂,EMS加热板/烤胶机,Matrix程序剪切仪/层压机,Matrix血糖试纸剪切仪,Novascan紫外臭氧清洗机,Uvocs臭氧清洗机,Uvitron紫外固化箱,Electro紫外固化箱,Wenesco加热板,Unitemp加热板,Semco快速退火炉等。
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产品详情

快速退火炉

  • 如果您对该产品感兴趣的话,可以
  • 产品名称:快速退火炉
  • 产品型号:JetFirst 100C
  • 产品展商:Semco
  • 产品文档:无相关文档
  • 发布时间:2018-08-14
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简单介绍
快速退火炉系统是一个简单稳定的热处理系统,适合于广泛*大尺寸为直径2~12英寸的基片材料和结构的快速热低温退火(RTA),(如电子级硅、钢铁、玻璃、单晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、锗、超导体、陶瓷等等)。快速退火炉配有一个管状石英反应室或不锈钢腔体,因此可兼容处理*大长度为300毫米的3 D样片。 法国RTP系列的快速退火炉由法国Semco公司专业开发制造,法国工艺保障。温度均匀度≤1%,处理的*大尺寸可以达到300mm,*高温度可以达到1200摄氏度,处理过程可以在真空环境或者惰性气体的环境中执行,做多可支持4路进气,可以用到的气体包含N2,O2,N2H2,Ar和H2。
产品描述


     基于PID处理控制器的Eurotherm可以存储20套程序,每套程序可以支持高达100个步骤的设定,带USB2.0的接口。包含UniSoft 软件,与微软Windows操作系统兼容。通过该软件,通过链接电脑可以非常方便地实现程序编辑以及数据记录。

 

技术规格:

- *高温度:1200摄氏度;

- 升温速率:1~200摄氏度/秒;

- 降温速度:1~200摄氏度/分钟;

- 温控均匀性:±1℃设定温度;

- 加热方式:红外卤素灯,顶部及底部区域加热;

- 灯管数量及功率:6支/20千瓦(RTP-50),12支/33千瓦(RTP-100);

18支/34千瓦(RTP-200), 36支/108千瓦(RTP-300);

- 腔体冷却:水冷方式;

- 衬底冷却:氮气吹扫;

- 工艺气路:MFC控制,*多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等);

 

应用领域:

- 离子注入/接触退火;

- 快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);

- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用;

- SiAu, SiAl, SiMo合金化;

- 低介电材料;

- 晶体化,致密化;

- 太阳能电池片键合;

 

快速退火炉主要几款型号:

1)  快速退火炉JetLight 50

产品特点:

1、基片从前面载入/取出;

2、红外卤素灯管加热,冷却采用风冷(低噪音水平,无需压缩空气);

3、石英腔体,腔体冷却采用水冷,冷壁设计;

 

快速退火炉技术参数:

1、腔体尺寸:直径50mm×深度150mm;

2、红外卤素灯:6支; *大功率:15KW;

3、红外卤素灯冷却方式:风冷;

4、温度范围:室温~1000 ℃;

5、温度精度:±1℃;

6、温度控制:快速数字PID控制;

8、热电偶:K型热电偶;

9、工艺气体气路配质量流量计:压力:2bars;

10、尺寸:500*500*400mm (W*D*H);

 

2)快速退火炉JetFirst 100C

基片从前面载入/取出;

JetFirst Series

JetFirst 100C

JetFirst 200C

JetFirst 300C

处理*大样品尺寸

100mm

200mm

300mm

*高温度()

室温~1200/s

室温~1200/s

室温~1200/s

工艺气体

1~4

1~4

1~4

红外卤素灯

12支,*大功率:33KW

18支,*大功率:34KW

36支,*大功率108KW

红外卤素灯冷却方式

风冷

风冷

风冷

温度控制

PID数控

PID数控

PID数控

温度精度

±1

±1

±1

热电偶

K型热电偶

K型热电偶

K型热电偶

机器外观

台式机

台式机

立式机

设备尺寸(LxDxH)

850 x 800 x700mm

850 x 800 x700mm

1000 x 850 x1500mm

 

3)快速退火炉JetStar

也可以用于污染物处理;

基片从上面载入/取出;

*大可支持的尺寸:直径为300mm的Wafer或者300mm×300mm的基片;

*高温度高达1000摄氏度;

升温速率为40K/sec;

降温速率分段控制:从1000℃到400℃,降温速率优于200K/sec。从400℃到100℃*大降温速率控制在30K/sec;
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