GTEM室的射频电磁场辐射抗扰度测试系统符合IEC61000-4-3和GB/T17626.3标准的要求。
电压驻波比特性
电场强度的均匀性
用GTEM小室进行射频辐射电磁场抗扰度试验的基本原理： 小室**频辐射电磁场中电场强度相对于射频输入功率的表达式可表示为 E＝V/h＝(PR)1/2/h 在实际选用放大器时，还应当考虑电缆和其他损耗，故有 E＝V/h＝D(PR)1/2/h 这里，E为电场强度（V/m） P为输入功率（W） R为阻抗（50Ω） h为导体高度（底板到芯板的高度） V为输入电压 D为系数，电缆等损耗为1dB时，D＝0.891 3dB时，D＝0.708 若P＝4W，h＝1m，D＝0.708，则E＝10V/m（注意，计算中未考虑标准化试验所需要的信号调制问题） 由此可见，用GTEM室做EMS测试时得到的场强比天线法采用同样大小的放大器时得到的场强要大得多，因而这个系统有较高的性能价格比，为企业开展小型产品EMS测试的优选方案。