产品 资讯
请输入产品名称
噪声分析仪 纺织检测仪器 Toc分析仪 PT-303红外测温仪 转矩测试仪 继电保护试验仪 定氮仪
首页 产品 专题 品牌 资料 展会 成功案例 网上展会
词多 效果好 就选易搜宝！
首页 >>> 技术文章 >

技术文章

直流高压发生器的关键系统参数
直流高压发生器的关键系统参数
系统需要保持**的时间观念。除了系统时钟外，本文所述的远程无线传感器应用示例中。还可采用实时时钟和日历（RTCC外设轻松实现这一点。RTCC主要功能是跟踪日期和时间。本文的情形中直流高压发生器，RTCC对于控制功耗模式非常有用。RTCC还有助于单片机安排**的唤醒事件、触发采样测量或发起与中央控制台的RF同步。
+3．0VPHEMT下变频IC并可用于卫星通信系统。下变频器全部集成在单片上直流高压发生器用的电器正常工作，TriquintSemiconductorTexaslnc．研制成宽带、小功率。无须外匹配元件。该MMIC有300~800MHzRF-Lo带宽和185~2085MHzIP带宽。UKDefenceEvaluationResearchA g研制成用于卫星通信接收机的多功能MMIC工作频率43．5~45．3GHz该电路采用0．25μmPHEMTGaA InGaA s-A 1GaA 生产线工艺在GECMarconiMateriTechnologyLtd．制作。多功能MMIC一块芯片上集成一个低噪声放大器、下变频器、本机振荡器、倍频器和缓冲放大器直流高压发生器，其芯片尺寸为3．03．8mm2噪声系数为4．3dB本机振荡器在0dBm时的变频增益为8dB2倍频器、混频器 MA-COMInc．采用GaA sHBTMMIC技术研制成模拟频率倍频器。基频至14GHz平均0-3dB变频增益和10dB衰减。图13示出HBTMMIC倍频器照片。表13列出混频器的研究水平。器芯片，功率发射芯片，下变频接收芯片。3．4宽带隙半导体微波器件 近年来，以SiCGaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引入注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)强辐射环境下工作，具有优异的微波功率性能直流高压发生器，其中以SiC器件技术*为成熟。目前符合质量要求的75mmSiC单晶已研制成功。1993年Sriram．S等人报道的6H-SiCMESFET6GHz下，输出功率为3W增益为6dB功率附加效率为44．5％，Creelnc研制成型号为CRF-22010碳化硅(SiC功率金属半导体场效应晶体管(MESFET并可用于A级和AB级放大器。这种器件在3GHz下，*小输出功率为10W1db压缩)2GHz典型输出功率为12W典型漏效率为45％，典型增益为12dBMotorolalnc已研制SiCMESFET58V3．1GHz下，输出功率为80WPA E为38％。SiCMESFET器件的B类功率在1.8GHz输出功率达到28．3dBm功率密度2Wmm功率附加效率为50．4％直流高压发生器。现已研制成SiCMESFET栅宽为0．71A m2．1GHz下，2GHz占空比为10％的条件下测得的*大输出功率达到113W此以前，氮化物半导体晶体管的*高输出功率记录是Crec公司创造的输出功率达到51W将4个与此次试验样品相同的晶体管，按照工业界的标准方法组合起来构成一个器件时，其输出功率将超过450W远远超过目前的*高水平。Crec公司研制成工作频率10GHzGaNHEMT脉冲RF功率为40W该器件可用于混合放大器。12mm器件的特点：PA E为20％，功率密度为3．39WmmCree已报道GaNMMIC生长在半绝缘SiC衬底上直流高压发生器资源共享的特点，初步结果为：9GHzRF脉冲功率为20W增益为14dBPA E为20％。Johnpalmour说，40W混合放大器大大改进在GaA 上的功率性能，可在高热导率半绝缘SiC衬底上制作GaN器件。Cree公司坚信，GaNMMIC标志着高性能宽带MMIC基放大器新时代来到并期待功率和带宽方间更好地其他半导体技术直流高压发生器。Cree公司研制的GaN分立器件和MMIC目标是高频(5-35GHz商业宽带通信应用以及**雷达和通信应用。该公司的GaN混合和MMIC放大器分别受到美国空军研究实验室和**研究实验室特别关注。RFNitroCommunlnc**报道了大功率A1GaNGaNFET基高效VCO其特性为，大功率2．7W高效率为27％，高的电源电压为3．5-30V大的调谐带宽为13％，可控电压为1~9V
采用仅需极少功耗的设计，如今。可使开发这些类型的无线系统成为可能。新一代无线网络可依靠其电池工作更长时间，并且在应用的生命周期中仅需很少或者根本无需维护。未来，能量收集甚至可以提供所需能源，而不再需要电池。
以及工程师如何利用这些功能延长无线传感器节点中电池的预期寿命。本文将着重介绍新一代嵌入式单片机所具有的各种超低功耗控制功能。
功耗管理功能
什么是低功耗”呢？继续之前，那么。让我首先讨论一些术语。能量”与所做功的总量相关直流高压发生器，而“功率”测量的做功的速率（单位时间使用的能量）电子学中，能量 =功率×时间，功率 =电压×电流。因而，所要关注的关键系统参数为电压、电流和时间。具体来说，就是应用在多大电压下运行，要消耗多少电流，以及要运行多久？
单片机必须采用处理能力较高的模式来计算**滤波算法，对温度进行采样需要使用MCU片上模数转换器（ADC并且仅需适当的处理能力。噪声滤波阶段。并尽快将结果存回存储器。因此，单片机运行并消耗功率的总时间缩短了
单片机就会组合所有的采样结果并采用RF收发器设备发送至中央控制台。需要**时序来确保无线传感器在预先分配的时隙内发送这一信息，每隔一段预定的时间间隔。从而允许同一系统中的多个无线传感器节点协同工作。
单片机能很**地每秒产生一次中断直流高压发生器空闲状态，如何管理唤醒处理器的频率呢？通过配合使用定时器外设和集成32kHz振荡器电路。从而保证唤醒时间准确。此中断事件还可以使单片机按预定的时间表向采样缓冲区填充温度数据。
选择适合于特定任务的时钟速度直流高压发生器。因此，单片机控制自身时钟频率的能力允许软件工程师在保证总电流消耗*少的情况下。工程师需要评估能量公式中的时间×电流元素，以确定哪种方案比较好：较短时间段内全速运行，较长时间段内较慢运行，或者选个中间速度。
实时时钟
上一篇：直流高压发生器的功率因数
下一篇：直流高压发生器用的电器正常工作