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直流高压发生器主要的损耗
直流高压发生器主要的损耗
数字电视发射机中的信号经ＣＯＦＤＭ方式调制后输出中频模拟信号，功率放大器是数字电视发射机中的重要组成部分。通常情况下。通过上变频送入放大部分。该调制方式包括ＩＦＦＴ（８Ｍ）和ＩＦＦＴ（２Ｍ）两种模式直流高压发生器的功率因数，分别由６８１７和１７０５个载波组成。每个载波之间的频率间隔非常近，所以交调信号很容易落在频带内直流高压发生器，引起交调失真。数字电视的发射机较传统类型，线性度、稳定性等方面有着更高的要求。对发射机中的功率放大器要求必须工作在较高的线性状态下，增益稳定。
升压晶体管和相应的二极管中都会产生较高的损耗。而碳化硅二极管就没有这一问题（如图2中蓝色曲线所示）只是由于电容性产生一个二极管瞬间负电流，硅二极管的反向恢复特性。这是由二极管的结电容电荷引起的碳化硅二极管可大大减少晶体管的开通损耗和二极管的关断损耗，还可减少电磁干扰，因为波形非常平滑，没有振荡。
例如零电压开关的零电流开关等。所有这些都会大大增加元件数量和系统的复杂程度直流高压发生器，以往曾经报道过很多避免由二极管的反向恢复特性造成损耗的工艺。结果经常使稳定性下降。特别值得提出的即使是硬开关状态下通过使用碳化硅肖特基二极管，也可以用*少的元件实现软开关相同的效率。
为进一步降低MOSFET单位面积导通电阻RDSon带来了希望，高开关频率同样要求高性能的升压晶体管。超级结晶体管（如 CoolMOS引进。如图3所示。
开关频率为16kHz负荷角的余弦值为 0.7和额定电流的情况下直流高压发生器，很容易看出。Emcon3二极管在导通过程中会产生更高损耗（深蓝色）但能得到更好的开关性能。因此，就这一点而言，二极管本身已经是很好的选择了此外，还降低了IGBT开通过程中的开关损耗。上述第2部分的考虑事项同样适用于此处。使用优化的EmCon二极管可使损耗降低1W左右，这是一个优势。请注意，当负荷角接近1时候，开关损耗将成为主要的损耗，因为二极管只在输出逆变器死区期间导通。
结论
才能在太阳能逆变器应用中达到*高效率。新工艺的出现，功率半导体器件需要具备不同的特性。如碳化硅半导体二极管或TrenchStopIGBT等，正在帮助人们实现这一目标。当然，要实现这一目标，不仅要对单个器件进行优化直流高压发生器，而且还要对这些器件组合在一起发生作用的方式进行优化。这将实现*小损耗和*高效率，而这正是太阳能逆变器*重要的两项指标。
该方法便于实现，信号预畸变方法是直接改变信号波形以达到抑制峰值的目的*简单的方法是限幅。但会造成信号失真，产生带内、外干扰，从而影响系统的性能；其他信号畸变方法由于具有较高的复杂度和较大的计算量直流高压发生器空闲状态，从而降低了其适用性。
降低高PA PR符号的发送概率。这种方法虽然不能保证所有传输信号的PA PR都很小，非畸变方法是通过优化子信道的载波相位的方式来寻找能得到*低PA PR相位组合。却能大幅度地降低高PA PR出现概率，从而抑制系统的PA PR减小放大器等非线性器件对系统带来的不利影响。这种方法一般复杂程度都较高，难于实现。
预留子载波法降峰均比
本文重点介绍音调保留（ToneReservP算法。该算法也叫预留子载波法，通过对现有方法优缺点的比较、并结合WiMA X系统自身特点。就是预留出一些子载波，不用来传输数据直流高压发生器，专门用作消峰处理。可见，该算法是以牺牲数据的传输速率来实现峰均功率比的降低。
结合WiMA X系统的特点，本文比较了目前减低OFDMA 信号峰均比的各种算法的优缺点。提出了预留子载波法减低峰均比的方案，并通过仿真验证找到*佳预留子载波个数和迭代次数，以*小的资源利用和*低的传输速率损失来换取较高的降低峰均比效果，进而提升WiMA X系统性能；*后给出基带实现的效果对比图，证明此方案降低峰均比效果明显。与常规MOSFET结构不同，内建横向电场的MOSFET嵌入了垂直P区，将垂直导电区域的N区夹在中间，使MOSFET关断时，垂直的P与N之间建立横向电场，并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N掺杂浓度。
由于被电场反型而产生的N型导电沟道不能形成，当VGS
被电场反型而产生的N型导电沟道形成。源极区的电子通过导电荷道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷，当VGS>Vth时。从而恢复被耗尽的N型特性，因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率直流高压发生器，因而导通电阻较常规MOSFET将明显降低。
解决了阻断电压与导通电阻的矛盾，通过以上分析可以看到阻断电压与导通电阻分别在不同的功能区域。将阻断电压与导通电阻功能分开。同时也将阻断时的表面PN结转化为掩埋PN结在相同的N掺杂浓度时变电-直流高压发生器，阻断电压还可进一步提高。
采用平衡放大电路结构?熏设计数字电视发射机中的功率放大器。工作频段在470MHz860MHz整个频带内增益在12dB左右直流高压发生器，用*新的LDMOSFET器件。工作在线性状态，交调抑制小于－35dB。
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