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大电流发生器-节能模式

大电流发生器-节能模式
本文只考虑0<θ<π/3情况。每一实时采样中，因为三相三电平的对称性。任一参考电压可以由与它相邻的三个电压矢量来合成。根据参考电压合成区域的不同，可以将0<θ<π/3内分为四个不同的三角形区域来讨论中点电压平衡问题。如图3所示大电流发生器需提高输出功率，首先考虑外部小三角形参考电压的合成。对于图3阴影部分的参考电压合成表达式如下：
先天不足：
额定容量的选取问题上认识不足；①设计人员缺乏必要的计量专业知识。
或同一类不同工作原理的表计的电压回路参数、结构知之不详大电流发生器，②对各种测量性质不同的表计。又不愿查有关的手册，因而引起计算错误；
工作疏忽，③对计量不够重视。对接入设备数量不清楚，如后备线路未计算在内；
选取了额定容量较小或额定容量裕量不足的TV④为了节约投资。
2后天造成：
额定容量已正确选取了因实时监测和管理的需要，计量设备安装时。除原来已接入的继保设备、监视用的电压表、功率表、功率因数(相位)表、频率表外，又接入遥测用的电压变送器、功率变送器大电流发生器，电压监测仪，失压仪，谐波监测仪等等，这*容易发生在运行多年的变电所。*严重的这些设备中，某些设备的工作电源还由TV供给，若只取自某一相时会使TV各相负载变得不平衡。还有，因用电形势发展出乎意料的迅速，新线路一下子增加了许多而令TV回路设备相应增加很多。这些不断接入的设备，可能会使TV二次回路的总实际容量超出*初设计时选定的额定容量。而设备的接入人员或没有及时通知相关部门的管理人员，或管理人员疏于职守，管理不善，没有察觉到TV实际容量已超出额定容量。
作为一种高精度频率源被广泛地应用于通讯系统、雷达导航系统、精密测控系统等。温补晶振由石英晶体振荡电路和温度补偿网络两部分组成。其中，温度补偿石英晶体振荡器(TCXO由于具有较高的频率稳定度。温度补偿网络的优化设计对于改善温补晶体振荡器的温频特性大电流发生器，提高振荡器的频率精度具有重要意义。
1温补晶振温度补偿原理
温补晶振由石英晶体振荡电路和温度补偿网络两部分组成。典型的温补晶振原理示意图如图1所示。
满足-50+80℃测试要求，支持GPIB接口程控。箱内的测量圈设有50个工位，每个工位通过5根导线连接一个待测补偿电压的半成品活件，分别接活件的GNDVCCVDDOUT和E+高低温箱与外部仪表连接如图3所示。
2程控电源Agilent3631A
满足独立双路供电大电流发生器相关量的变化关系，支持GPIB接口程控。其中06V为E+供电，其分辨率可达2mV以内；025V为TCXO系统提供工作电压。
3数字频率计EE3386A 1
用于获取TCXO输出频率。支持串口程控。
4FLUKE45万用表
用于获取TCXO内部三端稳压器的输出电压VDD为补偿网络分析计算辅助数据。支持串口程控。
应用中的LDMOS管又需要直接和高压相联接并通过大电流(目前的LDMOS管已经能耐受数百乃至近千伏的高压)因此，由于电源适配器芯片中内嵌集成或需要外部连接功率LDMOS管大电流发生器。如何保障芯片和LDMOS管的**工作是芯片设计的重点之一。
进而控制功率LDMOS管的开关是一种可行的**设计方法。但是由于硅片存在热惰性，利用片上二极管正向压降的负温度特性来监测芯片的热状态。故不能做到即时控制。该方法更适宜作**设计的**道防线。
恒流源偏置。与传统恒流源偏置略有不同的偏置电路中增加了MOS开关，过流比较器过流比较器采用常见的NPN差分对管的输入方式。当VGA TE为高时(此时LDMOS和该MOS开关同时导通)电路图左侧恒流源工作大电流发生器，使总偏置电流变大，输出缓冲级的驱动电流增大，比较电路速度加快;VGA TE为低时，左侧的恒流源不工作，总偏置电流变小(此时LDMOS不导通，过流比较器处于闲置状态)为节能模式。
2.2控制逻辑
该模块直接控制LDMOS开关。PULSE信号的上升沿对应是CLOCK时钟的开始，控制逻辑模块如图4所示。PULSE信号与时钟CLOCK关系如图9所示。当发生过流时，OVERCURRENT信号为低，触发器R端为高，Q为低，GateSwitch信号为低大电流发生器应考虑气温的影响，关断LDMOS从而实现过流保护功能。
SVPWM调制度大电流发生器，为系数。表示输出相电压实际的电压幅值︱Vm︱与*大可能合成相电压幅值之间的比值，即m=≤1。

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