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大电流发生器调容方式的选择
大电流发生器调容方式的选择
以后负荷逐渐增大的情况大电流发生器，对于建站初期负荷较小。组装设无载可调容电容器组。户外安装时可选用可调容集合式电容器;户内安装时可选用可调容柜式电容器装置。其基本原理为将电容器按二进制方式分成二组大电流发生器的优良特性，通过分接开关或隔离开关选择投切组合，可以实现三档容量可调。随着负荷的改变，可以人工断电后改变投切组合满足某一时间段的无功平衡。这种场合可以装设无功自动调容装置，该装置可以满足无人值守综合自动化的要求。
没有少数载流子的存贮效应，功率MOSFET电压型驱动器件。输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。但功率MOSFET极间电容较大，输入电容CISS输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为：功率MOSFET栅极输入端相当于一个容性网络，工作速度与驱动源内阻抗有关。由于 CISS存在静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中大电流发生器，仍需要一定的驱动电流。假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS开关管的开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间P两部分。2有隔离变压器的互补驱动电路。如图10所示，V1V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。
导通时隔离变压器上的电压为（1-DUi关断时为DUi若主功率管S可靠导通电压为12V而隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/1-D/Ui为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些。该电路具有以下优点：
具有电气隔离作用。当脉宽变化时，①电路结构简单可靠。驱动的关断能力不会随着变化。5.1.3RD漂移层电阻，主要是外延层中的电阻。一般做功率MOSFET都采用外延片。所谓外延片即在原始的低阻衬底（SUBSPA TE硅片上向外延伸一层高阻层。高阻层用来耐受电压，低阻衬底作为支撑又不增加很多电阻。对MOSFET来说，载流子（电子或空穴）这些区域是外界电压下作漂移（DRIFT运动，故而相关的电阻称为RD若要求MOSFET耐压高，就必须提高高阻层（对N沟道MOSFET来说，称N层）电阻率，但当外延层的电阻率提高时，RD也随之提高。这也是很少出现一千伏以上的高压MOSFET原因。
原胞的密度愈做愈高大电流发生器，1降低沟道电阻首先我来看如何降低沟道电阻。前面已经提到当前功率MOSFET发展的一个重要趋势就是把单个原胞的面积愈做愈小。其原因就是为了降低沟道电阻。为什么提高原胞的密度可降低沟道电阻呢？从图一可以看出：HEXFET电流在栅极下横向流过沟道。其电阻的大小和通过沟道时的截面有关。而这个截面随器件内原胞周界的增长而增大。当原胞密度增大时，一定的面积内，围绕着所有原胞的总周界长度也迅速扩大，从而使沟道电阻得以下降。
可有效降低开关损耗。IR公司1995年发展的HEXFET其原胞密度已比第三代大5倍。因此通过同样电流时的硅片MOSFET常常用在频率较高的场合。开关损耗在频率提高时愈来愈占主要位置。降低栅电荷。
从减小电容的角度很容易理解在制造上应采取的措施。为减小电容，为了降低栅电荷。增加绝缘层厚度（这儿是增加氧化层厚度）当然是措施之一。减低电容板一侧的所需电荷（现在降低沟道区的搀杂浓度）也是一个相似的措施。此外，就需要缩小电容板的面积，这也就是要减小栅极面积。缩小原胞面积增加原胞密度从单个原胞来看，似乎可以缩小多晶层的宽度，但从整体来讲大电流发生器性能稳定，其总的栅极覆盖面积实际上是增加的从这一点来看，增加原胞密度和减小电容有一定的矛盾。数字化变电站采用输出数字信号的电子式互感器，数字化的电流电压信号在传输到二次设备和二次设备处理的过程中均不会产生附加误差，提升了保护系统、测量系统和计量系统的系统精度。
计量系统总误差在±0.7%水平。而数字变电站计量系统的误差仅由TA 和TV产生，例如采用0.2级的TA 和TV传统变电站由于电缆和电表带来的附加误差。可达到±0.4%水平。
5提高信号传输的可靠性
一方面杜绝误传信号，数字化变电站的信号传输均用计算机通信技术实现。通信系统在传输有效信息的同时传输信息校验码和通道自检信息。另一方面在通信系统故障时可技术告警。传统变电站一次设备和二次设备间直接通过电缆传输没有校验信息的信号大电流发生器，当信号出错或电缆断线、短路时都难以发现。而且传输模拟信号难以使用光纤技术，易受干扰。
6应用电子式互感器解决传统互感器固有问题
没有传统互感器固有的TA 断线导致高压危险、TA 饱和影响差动饱和、CVT暂态过程影响距离保护、铁磁谐振、绝缘油爆炸、六氟化硫泄漏等问题。数字化变电站采用电子式互感器。
7避免电缆带来的电磁兼容、传输过电压和两点接地等问题
电磁干扰和传输过电压没有影响到二次设备的途径，数字化变电站二次设备和一次设备之间使用绝缘的光纤连接。而且也没有二次回路两点接地的可能性。
电缆感应电磁干扰和一次设备传输过电压可能引起的二次设备运行异常，二次电缆比较长的情况下由电容耦合的干扰可能造成继电保护误动作。尽管电力行业的有关规定中要求继电保护二次回路一点接地，但由于二次回路接地点的状态无法实时检测大电流发生器，二次回路两点接地的情况近期仍时有发生并对继电保护产生**影响，甚至造成设备误动作。作为fact基于电力电子技术的灵活交流输电系统)技术与配电系统应用的延伸—dfact技术已成为改善电能质量的有力工具，该技术的核心器件igbt比gto具有更快的开关频率，并且关断容量已达到一定规模，因此dfact装置具有更快的响应特性。目前dfact装置主要有：动态电压恢复器(dvr配电系统用静止同步补偿器(d-statcom固态切换开关(sst等。statcomsvc装置基础上，克服了由于呈恒阻抗特性，使得在电压低时，无法提供所需的无功支持，应付突发事件的能力较弱;而且占地面积大,传统变电站的二次设备与一次设备之间仍然采用电缆进行连接。过多的svc易引发系统振荡的弊端，statcom无功电流输出可在很大电压变化范围内恒定，电压低时仍能提供较强的无功支撑，并且可从感性到容性全范围内连续调节，使得其无功输出相当于同容量svc1.4~2倍;因statcom灵活调压，还可以大大减少变压器分接头的切换次数,从而减少分接头故障次数。另外，statcom还可以抑制电压闪变大电流发生器，提高系统暂态稳定水平，结合我国的国情和已有的技术，发展statcom应是解决我国电压稳定问题的有效手段，并且也是dfact技术发展的主要方向。目前城市和农村配网存在低功率因数和谐波污染问题。3.谐波会引起公用电网中局部的并联谐振和串联谐振，从而使谐波放大，使谐波危害大大增加，甚至引起严重事故。
并会使电气测量仪表计量不准确。4.谐波会导致继电保护和自动装置的误动作。
轻者产生噪声，5.谐波对临近的通信系统产生干扰。降低通信质量;重者导致信息丢失，使通信系统无法正常工作。压器的外壳接地是否牢固可靠，因为它对变压器起着直接的保护作用。
相色是否正确。变压器一、二次出线套管及它与导线的连接是否良好。
变压器上的铭牌与要求选择的变压器规格是否相符。如各侧电压等级、变压器的容量及分接开关位置等。
非被测量绕组接地)以及一、二次绕组间的绝缘电阻大电流发生器系统效率，测量变压器的绝缘。用1000~2500V兆欧表测量变压器的一、二次绕组对地绝缘电阻(测量时。并记录测量时的环境温度。绝缘电阻的允许值没有硬性规定，但应与历史情况或原始数据相比较，不低于出厂值的70%当被测变压器的温度与制造厂试验时的温度不同时，应换算到同一温度再进行比较)变电站内的无功补偿，主要是补偿主变对无功容量的需求，结合考虑供电压区内的无功潮流及配电线路和用户的无功补偿水平来确定无功补偿容量大电流发生器。35KV变电站一般按主变容量的10%-15%来确定;110KV变电站可按15%-20%来确定。
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