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提高效率大电流发生器
提高效率大电流发生器
采用大功率发射管C1972其参数如下：175MHZ4A 25W功率增益≥8.5db按图所示参数大电流发生器，电路见附图所示。电路工作中心频率约为98MHZ输入约2W射频功率时，额定输出可达15W为保88~108MHZ内的任一频点时输出达到额定值大电流发生器详细叙述，可根据前级的中心频率对部分元件作适当调整。必要时，可减少低通波波器级数，以增大输出功率。经扩展后的功率信号由三级低通滤波器滤去高次诣波成份馈入了发射天线。调试电路时，务必注意因电路功率大，一定要接上假负载（本人用30支1W1500Ω高精度金属膜电阻并联制成）并且要有足够在散热装置，正常工作时电源功率不低于2.5A 天线阻抗严格等于50Ω，不能用短棒拉杆天线，否则强烈的射频回馈电流将使电路造成自身干扰大电流发生器，大部分射频能量无法辐到空间而消耗在功率管上，使其过热损坏；必须通过50Ω发射专用同轴电览引到室外天线发射。电路能否正常工作关键在于电路的调试，整个过程都得十分小心。调试时，只输入较小的激励功率，电源电压下降为9V用高频电压表（不能用普通万用表）监测假负载两端高频电压值，调节C12C14L3L4L5L6使电压幅度达1520V左右，再调节C11L1使电压*大。然后逐步提高电压，每提高一次电压都反复调整C12C14和C11L1使输出端电压*高，注意的电压应与射频输入激励功率同步增大，以保证调试结果的准确性。达到额定值时，电源电压13.8V下工作电流约2A 左右，50Ω纯电阻假负载两端电压≥40V射频输出功率达15W
实际系统应用中还存在不同种类光纤的对接损耗和弯曲损耗等，上述是比较理想环境下的ODN光链路损耗计算。将使PON系统传输距离比上述数值还要短些。另外，从光纤损耗、光分路器插入损耗、光活动连接器损耗、光纤熔接损耗各数值可以看出，光分路器插入损耗和光活动连接器损耗较大，为保证系统足够的传输距离，系统设计时还需注意以下两点：
大分光比光分路器可以减少光纤的使用量，减少光缆线路的造价，但大分光比的光分路器应用会大大缩短传输距，会增加设备安装机房的数量而引起综合成本大大提高，因此分光比的选择应考虑当地环境灵活应用大电流发生器，通常距离较近的区域采用大分光比的光分路器。由于PHS手机发射功率比较小,1.灵活运用不同分光比的光分路器。对别的手机或无线设备干扰也小，待机时间、通话时间都比较长，由于PHS手机发射功率不受控制，协议简单，手机制造成本也相对较低。
三、GSM手机发射功率
手机发射功率是可以被基站控制的基站通过下行SA CCH信道，GSM协议规定。发出命令控制手机的发射功率级别，每个功率级别差 2dBGSM900手机*大发射功率级别是533dBm*小发射功率级别是195dBmDCS1800手机*大发射功率级别是030dBm*小发射功率级别是150dBm
或者处于无线阴影区时大电流发生器的应用前景，基站可以命令手机发出较大功率大电流发生器，直至33dBmGSM900以克服远距离传输或建筑物遮挡所造成的信号损耗。如果手机离基站很近，且无任何遮挡物时，基站可以命令手机发出较小功率，直至5dBmGSM900以减少手机对同信道、相邻信道的其它GSM用户的干扰和其它无线设备的干扰，而且这样还可以有效延长手机待机时间、通话时间。近年来,从以上不难看出当手机远离基站。超声波在工业中的应用不断涌现,比如超声波探伤,超声波清洗等等。伴随着超声研究的热门，如何有效的产生符合要求的超声波功率源也变的迫切起来，其性能特点直接影响着超声的研究工作。上述研究需要超声波具有高分辨率、高稳定性、大功率、频率大范围可调等特点大电流发生器，为此，本文提出了一种基于现场可编程逻辑门阵列(FPGA DDS技术用来产生超声波功率源的方案，并已将其应用在实际的声学研究中。另一方面，传统AC电源经整流后输入大电容滤波器，从输入提取的电流为狭窄的高振幅脉冲，这**构成SMPS前端。当高振幅电流脉冲产生谐波，将对其他设备造成严重干扰，此外，也减少可从电源获得的*大功率。
而失真电流也加剧配电损耗且浪费可用功率。为解决此一问题，由于失真AC电压将使电容器过热、电介质应力和绝缘过压。利用PFC功能方可确保符合监管规范，减少由上述应力而导致的元件失效，并拉高电源利用效率，改善元件性能。
因相较于典型的0.60.7SMPS功率因数值，采用PFC可使输入端看起来更像一个电阻。该电阻具有一单位功率因数（UnitiPowerFactor促使配电系统能以*高效率运行。同步整流也被称为主动（Active整流，其以MOSFET取代二极体大电流发生器，用以提升整流效率。典型二极体的电压降大约会在0.71.5伏特之间，使得二极体中产生高的功率损耗。低压DC-DC转换器中，此电压降将非常显着，造成效率下降。有时以萧特基整流器来代替硅二极体来改善；然而，因为当电压升高时，正向电压降也会增加；且在低压转换器中，萧特基二级体整流也无法提供足够效率，促进同步整流方案兴起。
且动态参数也已被优化。当这些主动式的控制MOSFET替换掉二极体，现代MOSFETRSP已大幅减少。就可启动同步整流。如今，MOSFET已可实现仅几毫欧导通电阻，即使在大电流下亦可显着降低两端的电压降，相较于二极体整流，大幅度提高效率。
同步整流不是硬开关大电流发生器，此外。稳定状态下具有零电压转换，且在导通和关断期间大电流发生器性能稳定，MOSFET自体二极体导通，使经过MOSFET压降为负，增加CISS由于这种软开关，闸极恒压转变为零，将可有效减少闸极电荷。该功率放大器可将功12W88108MHZ调频发射机的功率扩展至于1015W采用单管丙类放大及多级低通滤波器组成，具有较高的转换效率及很强的诣波抑制能力。
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