CVD等离子沉淀技术

纳晶真空等离子体系统

采用了系统优化的设计思想和多物理场计算机辅助设计手段。关键单元部件如高效率磁控阴极，电弧阴极，大束流等离子体源等具有国际先进水平（美国Nanocs）。系统具有专业化、模块化、标准化的特点。系统设计和制造与材料制备工艺紧密结合，使整机系统具有优良的性价比。可应用于高密度磁性存储器、传感器，薄膜电阻、电容、发光二极管、平面显示器、太阳能电池及各种功能薄膜的制备。

ü       适于多种薄膜材料的沉积/刻蚀/表面处理，有强的适用性

ü       系统工业生产延展性好，制备的相关材料和工艺可直接产业化

ü       国际标准设计，模块化制造集成，有优良的性价比

样品表面：可实现等离子体在线清洗、处理等。

样品传输：采用真空阀锁，磁力杆传输。

超高真空系统：分子泵、机械泵、真空管道及阀门等。

真空测量：低、高复合真空计，数显、自动切换。

电源：直流及射频（13.56MHz，500－2000W）电源。

控制：手动/自动控制，计算机控制。

系统功能介绍

1、多靶磁控溅射沉积系统：

ü       溅射方式：共聚焦沉积；垂直沉积；对向靶沉积。

ü       磁控阴极：2，3，4英寸圆形磁控阴极，矩形大尺寸磁控阴极。

ü       沉积材料：金属薄膜, 合金薄膜, 多层薄膜，磁性薄膜，金属氧化物、氮化物、碳化物等。

ü       真空室：主真空室，辅助真空室，样品安装、传动、切换。

2、多功能磁控等离子体系统：

薄膜材料沉积, 刻蚀; 纳米材料沉积; 材料表面等离子体处理等

ü       等离子体化学气相沉积(PECVD):硅基和碳基薄膜材料（纳米管、类金刚石、氧化硅、氮化硅等的沉积）；

ü       材料的表面等离子体清洗、处理等；

3、多功能等离子体实验系统：

集磁控溅射和过滤阴极电弧等离子体沉积功能为一体，小型化，高效，高性价比。

4、脉冲激光等离子体系统：

采用准分子脉冲激光等离子体制备各种薄膜和纳米粉体。

5、过滤阴极电弧等离子体沉积系统：

高速制备薄膜和纳米粉体，粒子离化率极高，束流大。

6、离子源辅助沉积刻蚀系统：

采用霍尔离子源，用于薄膜沉积，等离子体处理，清洗及辅助沉积。

7、高密度等离子体表面处理系统：

采用感应式射频（ICP）或微波源产生高密度等离子体，高效低温等离子体表面氮化、碳化和大面积离子注入。 
薄膜技术在光电器件、半导体器件、微电子学等重要领域中,都有着广泛的应甩,并起着关键作用。近几年来,薄膜技术发展很快,,相继出现了等离子CVD、光CVD、微波CVD等先进的成膜技术。ECR等离子CvD就是在这些技术的基础上,新开发出来的更先进的成膜技术。ECR等离子CvD是电