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什么是功率半导体?

什么是功率半导体?

功率半导体是构成功率转换器的*重要半导体器件的总称,这些器件具有将直流电转换为交流电的逆变器,将交流电转换为直流电的转换器以及频率转换等功能。 

这些功率转换需要能够高速开关高电压和大电流的开关,而开关是由电信号利用半导体的特性控制的。

与使用电阻器的传统转换方法相比,热能造成的能量损失更低,从而有助于节约能源。

目前功率半导体已广泛应用于火车、电动汽车、家用电器、照明灯具、电磁灶和计算机电源组件等人��熟悉的各种场合。

功率半导体的结构和材料

功率半导体大致分为二极管和开关器件。 

用作开关器件的主要器件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化膜场效应晶体管(MOSFET)。 IGBT 具有处理大电流和高电压的能力,因此被广泛应用于各种领域,包括电动汽车和轨道车辆的逆变器以及光伏发电的功率调节器。

但是它们在开关特性方面存在困难,不擅长高速开关操作。 这是因为在电力传输机制中不仅有电子,还有电子运动产生的空穴,导致开关操作时电流击穿能力差、损耗大。

另一方面,MOSFET 广泛应用于低于 1,200 V 的电压范围,并擅长高速开关。 它们主要用于开关电源。 在这种情况下,只有电子在导电。

図
IGBT(左)和 MOSFET(右)结构


硅(Si)一直被用作制造这些功率半导体器件的基础材料。 在过去的十年中,硅和碳的化合物碳化硅(SiC)已作为基础材料投入实际应用。 例如碳化硅功率半导体正被用于数量迅速增加的新型轨道车辆逆变器中。

碳化硅已开始用于提高功率转换效率。 人们开始寻求开发新的功率半导体,以实现传统 Si 功率半导体无法实现的高击穿电压和低导通电阻,而具有比 Si 更宽带隙的宽带隙半导体则大有可为。 碳化硅的带隙比硅宽三倍,击穿场强也相应高出十倍。 如果在 SiC 中实现与 SiC 相同耐压的功率半导体,据计算导通电阻可降低一个数量级以上。

桌子
半导体材料与物理性能的关系

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