EVG无掩膜光刻技术

日期：2024-12-22 22:26

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摘要：EV Group开发了MLE™（无掩膜光刻）技术，通过消除与掩模相关的困难和成本，满足了HVM世界中设计灵活性和zui小开发周期的关键要求。 MLE™解决了多功能（但缓慢）的开发设备与快速（但不灵活）的生产之间的干扰。它提供了可扩展的解决方案，可同时进行裸片和晶圆级设计，支持现有材料和新材料，并以高可靠性提供高速适应性，并具有多级冗余功能，以提高产量和降低拥有成本（CoO）。

1. 介绍

对电子设备性能和灵活性的新要求正在使制造基础架构从传统的基于掩模的光刻技术转变为用于先进封装和异构集成的数字光刻技术。片上系统正在从单片解决方案转向封装，小芯片和功能块中的模块化系统。因此，对于可扩展和通用后端光刻的需求不断增长，以实现封装和系统级的互连。为了满足这一新的行业愿景，需要能够通过先进封装快速集成新颖功能元素的大规模生产新工具。大批量制造（HVM）行业必须超越保守的芯片图案设计，并进入数字光刻技术的新时代。

EV Group开发了MLE™（EVG无掩膜光刻技术），通过消除与掩模相关的困难和成本，满足了HVM世界中设计灵活性和zui小开发周期的关键要求。 MLE™解决了多功能（但缓慢）的开发设备与快速（但不灵活）的生产之间的干扰。它提供了可扩展的解决方案，可同时进行裸片和晶圆级设计，支持现有材料和新材料，并以高可靠性提供高速适应性，并具有多级冗余功能，以提高产量和降低拥有成本（CoO）。

EVG的MLE™无掩膜曝光光刻技术不仅满足先进封装中后端光刻的关键要求，而且还满足MEMS，生物医学和印刷电路板制造的要求。

MLE EVG无掩膜光刻技术

2. EVG无掩膜光刻技术特征

1.全分辨率，免缝合动态光刻胶图案

2.任意方向上的线/空间分辨率均优于2 µm

3.得益于数字可编程布局，设计自由和数据具有机密性

4.单独的模具标识（序列号，加密密钥等）

5.晶圆级自适应配准的补偿

6.不受基材变形和翘曲的影响（厚晶圆，玻璃或有机基材）

7.智能敏捷的数字光刻处理基础设施

8.无耗材技术

3. 先进封装的后端光刻技术面临的新挑战

随着异构集成成为半导体开发和**中日益增长的驱动力，影响了先进的封装，MEMS和PCB市场，对后端光刻的要求也在不断增长。例如，在先进封装中，对重新分布层（RDL）和中间层及其连续密集的线/空间（L / S）的zui低分辨率要求变得越来越严格。在某些情况下，它们接近或超过2微米，而裸片放置变化和使用经济高效的有机基板则要求在图案形成方面具有更大的灵活性。在垂直侧壁图案化中对更高的覆盖精度以及高聚焦深度的要求也在增长。新的要求，例如zui小化因扇出型晶圆级封装（FoWLP）中的晶圆变形引起的图案变形和芯片偏移以及对厚光刻胶和薄光刻胶的支持，仅是现有和未来先进封装光刻系统的一些标准。EVG无掩膜光刻技术适合以下的应用：

3.1 先进封装

1.用于大型中间层，扇出和扇入晶圆级封装（WLP）器件的重新分布层图案

2.无掩模版尺寸限制

3.具有失真和模头偏移补偿的可变图案

4.高图案产量，低成本

**封装