|
EasyTube™ 3000 SiQC -专为多晶硅行业原料质量监控设计的化学气相沉积设备
原理是利用生产多晶硅的原料，用CVD的方式在一个单晶硅片上形成一层超高纯度的单晶硅膜(外延)，之后用FTIR等的仪器来检测单晶硅薄膜的质量，测量**度达到PPT水平并非其它方法可比
优点:
使用水冷却高纯石英工艺腔室，保证石英管工艺时处于低温。当机器长时间运行时，可*大程度减少在石英工艺腔壁上的沉积，保证工艺稳定, 并且避免频繁清洗石英工艺管
控制软件使用方便，可设定工艺参数（recipe）进行全自动运行, 并有自动记录工艺参数, 方便日后翻查
多种原料供应方式可供选择以满足不同需要:
连续氯硅烷方式（TCS, DCS, SiCl4）
连续硅烷方式 (SiH4)
小钢瓶方式 (Bubbler)
RF感应加热方式, 工艺温度由700 至1500°C
完整的真空系统，压力< 20 millitorr
LoadLock腔室能避免在放入及取出测试硅片对石英工艺腔室带来的污染
杂质测量精度
Boron (B) < 40 ppta
Aluminum (Al) < 30 ppta
Phosphorus (P) < 10 ppta
Arsenic (As) < 10 ppta
CVD同时提供特气柜和废气(尾气)处理系统的一站式方案
EasyGas™ 特气柜 –供应超高纯氢气
EasyPanel™特气柜 - 供应超高纯氩气
EasyExhaust™ 尾气处理系统 - 用热裂解和湿式洗涤的方式处理尾气
符合SEMI – S2/S8 and CE **标准
欲知详情，请登录:
http://www.products.cvdequipment.com/products/silicon-precursor-quality-control/
http://www.products.cvdequipment.com/products/silicon-precursor-quality-control/docs/easytube_SIQC.pdf
常見問題:
問: 這個設備適用於三氯氫硅(TCS) ,二氯二氫硅 (DCS), 硅烷(SiH4) and 四氯化硅(SiCl4) 嗎？
答: 是的，這個設備可以應用於所有的硅化合物。
問: 這台設備是生長單晶硅外延，我們如何獲得雜質的數據?
答: 設備已經獲得世界多晶硅行業多家龍頭企業使用, 証明本設備是一個有效快速的品質檢定手段。
我們可以讓第三方實驗室測試樣本, 例如用液氦低溫傅立葉變換光致發光光譜(FTPL)來測試砷, 鋁, 硼, 磷. 請看下面兩組資料.我們可提供的摻雜數量的資料在先前的介紹中已提到,它們是: B <30 ppta Al <20 ppta P <12 ppta As <8 ppta
典型測試雜質的方法是二次離子質譜(SIMS), 傅立葉轉換紅外線光譜分析(FTIR) 和傅立葉變換光致發光光譜(FTPL)。
問: 我們的外延硅層和單晶硅基底之間會相互擴散嗎？我們非常擔心外延硅層的雜質會擴散到單晶硅基底。那樣的話測出的雜質水準會不準確。
答: 如果使用普通的硅片的話可能會出現這種情況, 這就是我們使用浮區高電阻率硅晶片作為基底的原因。晶片中的雜質水平已經足夠低的情況下，浮區硅片不會出現擴散問題。
問: 我們的基底規格是多少？對我們正在使用的晶圓基底有什麼特殊要求或者規範嗎?
答: 基底規格是 0.5" x 0.5"浮區高電阻硅片。
問: 設備使用的氣體要求?
答: 氫: 流量*大值20 SLPM, 壓力> 15 PSI, 純度越高越好 - 如果供應源純度不夠的話可能需要添加一台淨化器
鋼瓶清洗管道: TCS 鋼瓶的氫*大25 SCCM, 壓力> 15 PSI, 純度越高越好 - 如果供應源純度不夠的話可能需要添加一台淨化器。一個300毫升的容器可以運行3次，而之後雜質將會增加，得到的資料的準確度會降低。
氬清洗管道：*大10 SLPM, 壓力> 15 PSI, 純度越高越好 - 如果供應源純度不夠的話可能需要添加一台淨化器。
硅烷: *大25SCCM, 壓力> 15 PSI, 純度 - 這是我們要測量的
問: 我們兩個小時之內在浮區高電阻硅晶圓基板上形成了單晶硅外延層。這個外延層有多厚？我們可以通過增加反應時間得到更厚的膜嗎？如果可以，這台設備能夠形成多厚的膜?
答: 沉積兩個小時的話，我們可以得到超過100微米的外延層, 它足夠用來做測量。延長反應時間的話就可以得到更厚的膜。一般的沉積速率是 2 um/分鐘.
|
