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关于ESD静电抗扰度测试仪的优缺点
日期：2024-11-20 12:39
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摘要：
关于ESD静电抗扰度测试仪的优缺点
目前市面上已经存在多种ESD静电抗扰度测试仪保护器件，但*常用的可分成三大类：聚合体、压敏电阻/抑制器和二极管。
一、聚合体器件
虽然聚合体器件对高频应用来说相当有吸引力，因为它们的亚皮法电容值只有0.05~1.0pF，但这么低的电容也会带来一些略微的副作用。与二极管不同的是，聚合体器件要求端电压达到触发电压时才击穿，而这个触发电压要比箝位电压高出许多。典型的聚合体ESD器件在500V之前是不会击穿的。一旦击穿后它就会迅速跳到*高达150V的箝位电压，当电荷释放掉后，聚合体将返回高阻状态。不过这一过程可能要花数小时甚至**的时间，因此它们对消费类应用来说没有吸引力。这些器件在制造中很难**表征，其数据手册通常只包含典型参数值，而不提供*小和*大保证值。另外，由于它们在物理上是属于柔性器件，因此它们的性能会随着遭受ESD脉冲数量的增加而下降。
二、压敏电阻和抑制器
压敏电阻和抑制器是非线性的可变电阻。虽然它们相对来说不贵，但抑制器通常具有高触发电压、高箝位电压和高阻抗特性，从而使得大多数能量会到达受保护的器件，而不是分流到地。典型的低电容抑制器的箝位电压范围在150~500V。低电容抑制器的典型动态电阻是20~40Ω。由于其高阻抗特性，几乎所有ESD冲击电流都会传递到“受保护”器件而不是分流到地。
三、半导体二极管
ESD保护二极管被表征为低箝位电压、低阻抗、快速导通时间和更好的可靠性。通常半导体二极管可以提供*好的ESD保护，而且现在的二极管已经可以做到1pF的等效电容，因此已经成为可靠的ESD保护和良好的信号完整性的*佳选择。
总之，任何保护元件在正常工作期间必须作为高阻抗电路出现在受保护的输入端。它所施加的电容负载必须尽可能的小，使得对正常的输入信号几乎没有影响。然而,在过压的瞬间，同一器件必须成为能量的主要通路，把能量从被保护器件的输入端转移出去。此外，保护器件的**（standing-off)电压必须高于受保护端所允许的*大信号电压。同样，其箝位电压必须低到足以防止所保护的器件遭受损坏，这是由于在瞬态发生期间，输入端上的电压将是保护器件的箝位电压。
我们公司主要生产EMC测试仪器：静电放电发生器、雷击浪涌发生器，群脉冲发生器（详情可点击：www.dgzhongsheng.com/index.asp）
目前市面上已经存在多种ESD静电抗扰度测试仪保护器件，但*常用的可分成三大类：聚合体、压敏电阻/抑制器和二极管。
一、聚合体器件
虽然聚合体器件对高频应用来说相当有吸引力，因为它们的亚皮法电容值只有0.05~1.0pF，但这么低的电容也会带来一些略微的副作用。与二极管不同的是，聚合体器件要求端电压达到触发电压时才击穿，而这个触发电压要比箝位电压高出许多。典型的聚合体ESD器件在500V之前是不会击穿的。一旦击穿后它就会迅速跳到*高达150V的箝位电压，当电荷释放掉后，聚合体将返回高阻状态。不过这一过程可能要花数小时甚至**的时间，因此它们对消费类应用来说没有吸引力。这些器件在制造中很难**表征，其数据手册通常只包含典型参数值，而不提供*小和*大保证值。另外，由于它们在物理上是属于柔性器件，因此它们的性能会随着遭受ESD脉冲数量的增加而下降。
二、压敏电阻和抑制器
压敏电阻和抑制器是非线性的可变电阻。虽然它们相对来说不贵，但抑制器通常具有高触发电压、高箝位电压和高阻抗特性，从而使得大多数能量会到达受保护的器件，而不是分流到地。典型的低电容抑制器的箝位电压范围在150~500V。低电容抑制器的典型动态电阻是20~40Ω。由于其高阻抗特性，几乎所有ESD冲击电流都会传递到“受保护”器件而不是分流到地。
三、半导体二极管
ESD保护二极管被表征为低箝位电压、低阻抗、快速导通时间和更好的可靠性。通常半导体二极管可以提供*好的ESD保护，而且现在的二极管已经可以做到1pF的等效电容，因此已经成为可靠的ESD保护和良好的信号完整性的*佳选择。
总之，任何保护元件在正常工作期间必须作为高阻抗电路出现在受保护的输入端。它所施加的电容负载必须尽可能的小，使得对正常的输入信号几乎没有影响。然而,在过压的瞬间，同一器件必须成为能量的主要通路，把能量从被保护器件的输入端转移出去。此外，保护器件的**（standing-off)电压必须高于受保护端所允许的*大信号电压。同样，其箝位电压必须低到足以防止所保护的器件遭受损坏，这是由于在瞬态发生期间，输入端上的电压将是保护器件的箝位电压。
我们公司主要生产EMC测试仪器：静电放电发生器、雷击浪涌发生器，群脉冲发生器（详情可点击：www.dgzhongsheng.com/index.asp）
